恭喜四川航天电子设备研究所魏猛获国家专利权
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龙图腾网恭喜四川航天电子设备研究所申请的专利一种异质共面集成芯片的封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334679B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111334503.9，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种异质共面集成芯片的封装方法是由魏猛;韩立昌;田英;林立娜;张平设计研发完成，并于2021-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种异质共面集成芯片的封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种异质共面集成芯片的封装方法，一种异质共面集成芯片的封装方法，将不同材料不同制程的多种裸芯片正面焊盘面用临时键合胶粘接固定在玻璃衬底正面上，芯片按照一定规则进行排布，将玻璃衬底背面贴上蓝膜，通过磨片机或减薄机加工，优化工艺参数，实现共面减薄至目标厚度，随后进行解键合得到厚度一致的分立芯片。将分立芯片贴片在高导热壳体上，然后进行共面植球，通过FC倒装焊工艺焊接在多层布线基板对应的焊盘处形成异质共面集成芯片。本发明适用于多品种小批量的产品研发、自动化程度高、成本低等方面的优点，可为后续三维异质集成系统小型化发展提供重要技术支撑。
本发明授权一种异质共面集成芯片的封装方法在权利要求书中公布了：1.一种异质共面集成芯片的封装方法，其特征在于包括如下步骤：S1、将不同材料不同制程的多种裸芯片焊盘面用临时键合胶粘接固定在玻璃晶圆衬底正面，并固化；S2、将玻璃衬底背面贴上蓝膜，并通过烘烤强化粘接强度；S3、通过磨片机或减薄机加工，将芯片背面减薄至目标厚度，使得不同材料不同制程的多种裸芯片共面；S4、将不同材料不同制程的多种裸芯片解键合，得到厚度一致的分立芯片；S5、将解键合之后的分立芯片背面贴片在高导热封装壳体上，并固化；S6、将分立芯片正面，进行共面统一植球，得到异质集成芯片；S7、将植球后的异质集成芯片倒装焊接在多层布线基板对应的焊盘处，形成异质共面集成芯片；S8、对异质共面集成芯片采用底部填充胶进行填充并固化。
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