恭喜株洲中车时代半导体有限公司卜毅获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜株洲中车时代半导体有限公司申请的专利一种半导体器件的表面平坦化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005748B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111267168.5，技术领域涉及：H01L21/3105；该发明授权一种半导体器件的表面平坦化方法是由卜毅;罗湘;曾琪;曾凯;何逸涛;冯宇设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的表面平坦化方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件的表面平坦化方法，包括如下步骤，在硅衬底上沉积氧化层和氮化硅；对打开区域进行氧化形成终端区氧化层；沉积硬掩膜层；进行光刻，然后对硬掩膜层进行刻蚀；使用硬掩膜层充当刻蚀阻挡层，进行有源区沟槽刻蚀；去除沟槽内损伤层，然后生长栅氧氧化层；表面淀积多晶硅，多晶硅填充满所有沟槽；进行CMP研磨，实现晶圆表面平坦化；同步刻蚀氮化硅和氧化层，停留在元胞区氧化层上；将元胞区域沟槽内高于硅平面的多晶硅和氧化层进行刻蚀，停留在与硅衬底表面，实现平坦化；本发明避免终端区的多晶硅残留，不需要引入格外工艺去除硬掩膜层，工艺简单，可以准确实现终点信号抓取，实现平坦化效果，保证产品的均一性。
本发明授权一种半导体器件的表面平坦化方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的表面平坦化方法，其特征是，包括如下步骤，1）在硅衬底上沉积元胞区氧化层和氮化硅；2）对打开区域进行氧化形成终端区氧化层；3）沉积硬掩膜层；4）进行光刻，然后对硬掩膜层进行刻蚀；5）使用硬掩膜层充当刻蚀阻挡层，进行有源区沟槽刻蚀；6）去除沟槽内损伤层，然后生长栅氧氧化层；7）表面淀积多晶硅，多晶硅填充满所有沟槽；8）进行CMP研磨，先研磨表面多晶硅，再研磨硬掩膜层和LOCOS处终端区氧化层，实现晶圆表面平坦化；9）同步刻蚀氮化硅和终端区氧化层，停留在元胞区氧化层上；10）将元胞区域沟槽内高于硅平面的多晶硅和元胞区氧化层进行刻蚀，停留在与硅衬底表面，最终实现平坦化。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株洲中车时代半导体有限公司，其通讯地址为：412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号