恭喜株式会社半导体能源研究所门马洋平获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社半导体能源研究所申请的专利正极活性物质、正极活性物质的制造方法及二次电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111916714B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010863406.8，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权正极活性物质、正极活性物质的制造方法及二次电池是由门马洋平;川上贵洋;落合辉明;高桥正弘设计研发完成，并于2017-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本正极活性物质、正极活性物质的制造方法及二次电池在说明书摘要公布了：本发明涉及锂离子二次电池、混合动力汽车、电动汽车及插电式混合动力汽车。锂离子二次电池包括正极和负极，其中，所述正极包括包含钴的正极活性物质，所述正极活性物质在表层部包含所述钴、铝及氟，在所述表层部中，所述铝具有浓度梯度，并且，在利用能量分散型X射线分析的线分析结果中，所述氟具有：在比所述铝具有的峰值更接近所述正极活性物质的表面的区域被检出的峰值。
本发明授权正极活性物质、正极活性物质的制造方法及二次电池在权利要求书中公布了：1.一种锂离子二次电池， 包括包含正极活性物质粒子的正极， 所述正极活性物质粒子包含第一区域、表面附近的第二区域和表面附近的第三区域， 所述第一区域包含锂、钴及氧， 所述第二区域包含锂、铝、钴及氧， 所述第三区域包含镁及氧， 铝的浓度的峰值出现在从所述正极活性物质粒子的表面深度0.5nm以上且20nm以下的范围， 所述第二区域为用STEM-EDX的线分析所检测出的铝的浓度为铝的浓度的所述峰值的12以上的区域， 所述第三区域为用STEM-EDX的线分析所检测出的镁的浓度为镁的浓度的峰值的15以上的区域， 所述第二区域具有从所述正极活性物质粒子的表面比所述第三区域深的区域， 所述第三区域具有岩盐型结晶结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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