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龙图腾网恭喜福建师范大学申请的专利一种钙钛矿薄膜、制备及钙钛矿太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068815B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111231482.8，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种钙钛矿薄膜、制备及钙钛矿太阳能电池是由卫东;姚瑶;蔡庆瑞;李晓丹设计研发完成，并于2021-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钙钛矿薄膜、制备及钙钛矿太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明提供了一种钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1，将SnO2溶液旋涂到ITO基板上，然后在175‑185℃条件下加热25‑35min，待冷却到室温，再用臭氧处理15‑25min，得SnO2薄膜；S2，将含MABr的PbI2溶液旋涂在SnO2薄膜上，随后在65‑75℃温度下退火0.8‑1.2min，冷却至室温后，得PbI2薄膜；S3，将FAI溶液旋涂到PbI2薄膜上，接着在145‑155℃温度下退火8‑12min，即可得到所述钙钛矿薄膜。该方法中，MABr抑制钙钛矿薄膜中PbI2的残余，从而限制钙钛矿中离子迁移并从源头减少钙钛矿薄膜缺陷态的产生，既可减小载流子在薄膜传输过程中的损失，保持高的载流子传输效率，又增加了钙钛矿薄膜稳定性。

本发明授权一种钙钛矿薄膜、制备及钙钛矿太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，将SnO2溶液旋涂到ITO基板上，然后在175-185℃条件下加热25-35min，待冷却到室温，再用臭氧处理15-25min，得SnO2薄膜；S2，将含MABr的PbI2溶液旋涂在SnO2薄膜上，随后在65-75℃温度下退火0.8-1.2min，冷却至室温后，得PbI2薄膜；S3，将FAI溶液旋涂到PbI2薄膜上，接着在145-155℃温度下退火8-12min，即可得到所述钙钛矿薄膜；所述SnO2溶液为SnO2胶体溶于去离子水形成，SnO2胶体和去离子水的体积比为1：4-6；步骤S1中，所述旋涂的转速为6000rpm，所述旋涂的时间为25-35s；所述PbI2溶液为PbI2溶解到DMFDMSO溶液中形成；DMFDMSO的体积比为4：1；PbI2的浓度为1.2-1.8mmolml；所述MABr的浓度为0.005-0.05gml；步骤S2中，所述旋涂的转速为4000rpm，所述旋涂的时间25-35s；所述FAI溶液为将FAI加入异丙醇中形成，其中FAI的浓度为10mgml，或者FAI和MACl混合到异丙醇中形成，其中FAI和MACl的总浓度为10mgml；步骤S3中，所述旋涂的转速为4000rpm，所述旋涂的时间15-25s。

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