买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249704B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110453579.7，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2021-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的第一晶体管结构中，第一沟道层在基底上的投影为第一图形，第一栅电极层在基底上的投影为第二图形，第一源漏掺杂层在基底上的投影为第三图形，第二晶体管结构中，第二沟道层在基底上的投影为第四图形，第二栅电极层在基底上的投影为第五图形，在第二方向上，相邻第一图形和第四图形部分重合或者并列设置，在第一方向上，相邻第二图形和第五图形部分重合或者并列设置，且相邻第五图形露出相邻所述第二图形之间的部分第三图形，因此，第一栅电极层和第一源漏掺杂层被第二晶体管结构完全遮挡的概率较低，从而易于通过插塞将第一晶体管结构中第一栅电极层和第一源漏掺杂层的电性引出。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一晶体管结构，包括基底、位于所述基底上的第一沟道层、覆盖所述第一沟道层的第一栅介质层、覆盖所述第一栅介质层的第一栅电极层、以及位于所述第一栅电极层两侧的基底上的第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层与位于所述第一栅电极层下方的第一沟道层端部相接触，所述第一沟道层沿第一方向延伸，所述第一栅电极层沿第二方向延伸，且所述第一方向和第二方向相垂直，所述第一晶体管结构具有位于所述第一栅电极层一侧的键合面；键合层，位于所述第一晶体管结构的键合面上；第二晶体管结构，位于所述键合层上，所述第二晶体管结构包括第二沟道层、覆盖所述第二沟道层的第二栅介质层、覆盖所述第二栅介质层的第二栅电极层、以及位于所述第二栅电极层两侧的键合层上的第二源漏掺杂层，所述第二源漏掺杂层与位于所述第二栅电极层下方的第二沟道层端部相接触，所述第二沟道层沿所述第一方向延伸，所述第二栅电极层沿所述第二方向延伸；其中，所述第一沟道层在所述基底上的投影为第一图形，所述第一栅电极层在所述基底上的投影为第二图形，所述第一源漏掺杂层在所述基底上的投影为第三图形，所述第二沟道层在所述基底上的投影为第四图形，所述第二栅电极层在所述基底上的投影为第五图形，在所述第二方向上，相邻所述第一图形和第四图形部分重合或者并列设置，在所述第一方向上，相邻所述第二图形和第五图形部分重合或者并列设置，且相邻所述第五图形露出相邻所述第二图形之间的部分所述第三图形。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。