恭喜台湾积体电路制造股份有限公司郭丰维获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206066B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110406457.2，技术领域涉及：H01L23/66；该发明授权半导体结构及其制造方法是由郭丰维;廖文翔设计研发完成，并于2021-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包含第一重布结构，其中所述第一重布结构包含第一导电图案。所述半导体结构进一步包含所述第一重布结构上的裸片。所述半导体结构进一步包含所述第一重布结构上的模制件，其中所述模制件包围所述裸片，且所述模制件具有第一介电常数。所述半导体结构进一步包含延伸穿过所述模制件的电介质部件，其中所述电介质部件具有不同于所述第一介电常数的第二介电常数。所述半导体结构进一步包含所述裸片、所述电介质部件及所述模制件上的第二重布结构，其中所述第二重布层包含所述电介质部件上的天线，且所述天线电连接到所述裸片。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其包括：第一重布结构，其中所述第一重布结构包括第一导电图案；裸片，其在所述第一重布结构上；模制件，其在所述第一重布结构上，其中所述模制件包围所述裸片，且所述模制件具有第一介电常数；导电通路，其延伸穿过所述模制件，且电连接到所述第一导电图案；电介质部件，其延伸穿过所述模制件，其中所述电介质部件具有不同于所述第一介电常数的第二介电常数，至少一部分所述模制件在所述电介质部件与所述导电通路之间，所述电介质部件与所述模制件接触；及第二重布结构，其在所述裸片、所述电介质部件及所述模制件上，其中所述第二重布结构包含所述电介质部件上的天线，且所述天线电连接到所述裸片。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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