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龙图腾网恭喜武汉科宇智联信息技术有限公司申请的专利一种硅光芯片温度传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112985634B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110275990.X，技术领域涉及：G01K11/00；该发明授权一种硅光芯片温度传感器是由郑宇;黄颖设计研发完成，并于2021-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅光芯片温度传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种硅光芯片温度传感器，包括设有二氧化硅包层的输入波导、导入Y型波导、第一传感波导、第二传感波导、导出Y型波导和输出波导，输入波导连接导入Y型波导的输入端，导入Y型波导的两个输出端分别串联第一传感波导、第二传感波导后再分别连接导出Y型波导的两个输入端，导出Y型波导的输出端连接输出波导；第二传感波导包括三条紧密并排设置的硅波导，位于中间的硅波导的两端分别连接导入Y型波导以及导出Y型波导；在第一传感波导中，光信号被束缚在硅波导中传播；在第二传感波导中，光信号被束缚在相邻硅波导之间的二氧化硅包层中传播。该温度传感器实现了内置集成型硅光芯片温度探测，可靠性高。

本发明授权一种硅光芯片温度传感器在权利要求书中公布了：1.一种硅光芯片温度传感器，其特征在于，包括设有二氧化硅包层的输入波导1、导入Y型波导2、第一传感波导3、第二传感波导4、导出Y型波导5和输出波导6，所述输入波导1的输入端接收光信号输入，所述输入波导1的输出端连接所述导入Y型波导2的输入端，所述导入Y型波导2的一个输出端通过所述第一传感波导3连接所述导出Y型波导5的一个输入端，所述导入Y型波导2的另一个输出端通过所述第二传感波导4连接所述导出Y型波导5的另一个输入端，所述导出Y型波导5的输出端连接所述输出波导6；所述第一传感波导3包括一条硅波导；所述第二传感波导4包括三条紧密并排设置的硅波导，所述第二传感波导4中相邻硅波导的间距为纳米级，所述第二传感波导4的三条硅波导之间填充有二氧化硅包层，三条并排的硅波导中位于中间的硅波导的两端分别连接所述导入Y型波导2的输出端以及所述导出Y型波导5的输入端；在所述第一传感波导3中，光信号被束缚在硅波导中传播；在所述第二传感波导4中，光信号被束缚在相邻硅波导之间的二氧化硅包层中传播。

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