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龙图腾网恭喜北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050646B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110249389.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由汪涵;卜伟海设计研发完成，并于2021-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在衬底上形成堆叠结构，包括自下而上依次交替堆叠的多个第一功能层和第二功能层；在第二叠层结构侧壁形成保护侧墙；去除第一叠层结构中的第一功能层，第一叠层结构中的第二功能层作为第一沟道层；形成包围第一沟道层的底部栅极；去除保护侧墙；去除第二叠层结构中的第二功能层，第二叠层结构中的第一功能层作为第二沟道层；形成包围第二沟道层的顶部栅极。本发明实施例分别将第一叠层结构中的第二功能层保留作为第一沟道层、将第二叠层结构中的第一功能层保留作为第二沟道层，从而为第一器件结构和第二器件结构形成不同的沟道层，并且有利于降低第一沟道层和第二沟道层受损的几率，提升了CFET的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成堆叠结构，包括自下而上依次交替堆叠的多个第一功能层和第二功能层，一个所述第二功能层和位于所述第二功能层上的第一功能层用于构成一个沟道叠层，最靠近所述衬底的第一功能层作为底层功能层，最远离所述衬底的第二功能层作为顶层功能层；所述底层功能层和位于所述底层功能层上的一个或多个所述沟道叠层用于构成第一叠层结构，位于所述第一叠层结构上的剩余沟道叠层和所述顶层功能层用于构成第二叠层结构；在所述第二叠层结构的侧壁上形成保护侧墙；形成所述保护侧墙后，去除所述第一叠层结构中的第一功能层，使所述第一叠层结构中的第二功能层用于作为第一沟道层；形成包围所述第一沟道层的底部栅极，所述底部栅极与所述第一沟道层用于构成第一器件结构；形成所述底部栅极后，去除所述保护侧墙，暴露出所述第二叠层结构的顶面和侧壁；去除所述第二叠层结构中的第二功能层，使所述第二叠层结构中的第一功能层用于作为第二沟道层；在所述底部栅极上形成包围所述第二沟道层的顶部栅极，所述顶部栅极和第二沟道层用于构成第二器件结构。

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