恭喜闪烁光子学公司S·梅内佐获国家专利权
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龙图腾网恭喜闪烁光子学公司申请的专利用于提供包括位于波导中的光学模式的光辐射的光子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115315864B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180024731.8，技术领域涉及：H01S5/02；该发明授权用于提供包括位于波导中的光学模式的光辐射的光子器件是由S·梅内佐;T·蒂森设计研发完成，并于2021-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于提供包括位于波导中的光学模式的光辐射的光子器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于提供光辐射的光子器件DP，光子器件包括波导2、覆盖波导2的N型半导体层1n和由III‑V材料制成的叠层形成的有源区域QW。光子器件还包括设置在有源区域QW上并与有源区域QW接触的多个P型半导体柱1p、1'p。至少第一金属焊盘3n、3'n与N型层1n的自由部分欧姆接触，并且至少第二金属焊盘3p、3'p与P型柱1p、1'p欧姆接触。
本发明授权用于提供包括位于波导中的光学模式的光辐射的光子器件在权利要求书中公布了：1.一种光子器件DP、DP'，所述光子器件用于提供包括位于波导中的光学模式的光辐射，所述器件包括：-波导2，所述波导在沿着所述光学模式的主传播方向的平面中延伸；-N型半导体层1n，所述N型半导体层被设置成覆盖所述波导2；-有源区域QW，所述有源区域由III-V材料制成的叠层形成，所述有源区域QW被设置在所述N型半导体层1n的与所述波导的部分2h对齐的部分上并与该部分接触，所述N型半导体层的称为自由部分的另一部分不与所述有源区域QW接触；-多个P型半导体柱1p、1'p，所述多个P型半导体柱设置在所述有源区域QW上并与所述有源区域QW接触，所述多个P型半导体柱1p、1'p的半导体材料具有第一光学指数并且所述多个P型半导体柱1p、1'p由具有比所述第一光学指数低的第二光学指数的封裹材料彼此分开；-与所述N型半导体层1n的所述自由部分欧姆接触的至少一个第一金属焊盘3n、3'n和与所述多个P型半导体柱1p、1'p欧姆接触的至少一个第二金属焊盘3p、3'p。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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