恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林咏淇获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113097130B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110244176.1，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及其形成方法是由林咏淇;吴仓聚;邱文智;余振华设计研发完成，并于2021-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：在实施例中，器件包括：包括第一衬底和第一互连结构的第一晶圆，第一互连结构的侧壁与第一衬底的侧壁形成钝角；以及接合到该第一晶圆的第二晶圆，该第二晶圆包括第二衬底和第二互连结构，第一衬底的侧壁从该第二衬底的侧壁和该第二互连结构的侧壁横向地偏移。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括：获得包括第一衬底和第一互连结构的第一处理晶圆，所述第一衬底包含半导体材料，所述第一互连结构包括介电材料之间的金属互连件；用第一修整工艺去除所述第一互连结构的边缘区域，所述第一修整工艺是非机械工艺，所述第一修整工艺以比所述第一衬底的所述半导体材料快的速率去除所述第一互连结构的所述介电材料；在去除所述第一互连结构的边缘区域之后，用第二修整工艺去除所述第一衬底的边缘区域，所述第二修整工艺以比所述第一互连结构的所述介电材料快的速率去除所述第一衬底的所述半导体材料；以及将第二处理晶圆接合到所述第一处理晶圆的正面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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