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龙图腾网恭喜GSI技术有限公司申请的专利带有无比写入端口的计算存储器单元及处理阵列装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257305B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110166435.3，技术领域涉及：G11C11/419；该发明授权带有无比写入端口的计算存储器单元及处理阵列装置是由P·庄;C-H·张;舒立伦设计研发完成，并于2021-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本带有无比写入端口的计算存储器单元及处理阵列装置在说明书摘要公布了：一种计算存储器单元和处理阵列具有无比写入端口，使得到所述存储器单元的写入不需要克服PMOS晶体管的驱动强度，所述PMOS晶体管是所述存储器单元的存储单元的部分。所述计算存储器单元还可具有带隔离电路的第二读取端口。

本发明授权带有无比写入端口的计算存储器单元及处理阵列装置在权利要求书中公布了：1.一种存储器计算单元，其由下述各项构成：SRAM存储单元，其由形成数据端口D和补充数据端口Db的两个交叉耦合的反相器构成；读取端口，其由下述各项构成：i第一存取晶体管，包括耦合到读取位线RBL的第一端子、耦合到读取启用线RE的栅极、和第二端子；以及ii第二存取晶体管，包括耦合到所述第一存取晶体管的第二端子的第一端子、耦合到所述补充数据端口的栅极、和耦合到地的第二端子；以及无比写入端口，其耦合到所述SRAM存储单元且提供对所述SRAM存储单元的写入存取，所述无比写入端口由下述各项构成i第三存取晶体管，包括耦合到供给电压VDD的第一端子、耦合到写入位线WBL的栅极、和耦合到所述SRAM存储单元的第二端子；ii第四存取晶体管，包括耦合到所述供给电压的第一端子、耦合到补充写入位线WBLb的栅极、和耦合到所述SRAM存储单元的第二端子；iii第五存取晶体管，包括耦合到所述数据端口的第一端子、耦合到写入启用线WE的栅极和第二端子；iv第六存取晶体管，包括耦合到所述第五存取晶体管的第二端子的第一端子、耦合到所述补充写入位线的栅极、和耦合到地的第二端子；v第七存取晶体管，包括耦合到所述补充数据端口的第一端子、耦合到所述写入启用线的栅极、和第二端子；以及vi第八存取晶体管，包括耦合到所述第七存取晶体管的第二端子的第一端子、耦合到所述写入位线的栅极、和耦合到地的第二端子，所述无比写入端口通过从所述供给电压断开所述第三存取晶体管来准许数据写入到所述SRAM存储单元中。

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