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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113345486B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110138367.X，技术领域涉及：G11C7/18；该发明授权存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法是由A·S·瓦达;R·J·希尔;A·M·洛设计研发完成，并于2021-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法。一种用于形成存储器阵列的方法包括在上方形成数字线并且所述数字线电耦合到其下方的存储器单元。所述数字线在竖直横截面中相对于彼此横向间隔开。向上开放的空隙空间横向地位于所述竖直横截面中的紧邻的所述数字线之间。用掩蔽材料覆盖所述数字线的导电材料，所述掩蔽材料在所述向上开放的空隙空间中并且不足以填满所述向上开放的空隙。从所述数字线的顶部正上方去除所述掩蔽材料以暴露导电数字线材料，并在所述向上开放的空隙空间中的所述导电数字线材料的侧壁上方留下所述掩蔽材料。绝缘材料相对于所述掩蔽材料跨越所述向上开放的空隙空间从暴露的导电数字线材料选择性地生长以形成在所述竖直横截面中的所述紧邻数字线之间的覆盖的空隙空间。公开了与方法无关的结构。

本发明授权存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成存储器阵列的方法，其包括：在上方形成数字线并且所述数字线电耦合到其下方的存储器单元，所述数字线在竖直横截面中彼此横向间隔开，向上开放的空隙空间横向地位于所述竖直横截面中的紧邻的所述数字线之间；用掩蔽材料覆盖所述数字线的导电材料，所述掩蔽材料在所述向上开放的空隙空间中并且不足以填满所述向上开放的空隙；从所述数字线的顶部正上方去除所述掩蔽材料以暴露导电数字线材料，并在所述向上开放的空隙空间中的所述导电数字线材料的侧壁上方留下所述掩蔽材料；以及相对于所述掩蔽材料跨越所述向上开放的空隙空间从暴露的导电数字线材料选择性地生长绝缘材料以在所述竖直横截面中的所述紧邻数字线之间形成覆盖的空隙空间。

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