买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜天津威盛电子有限公司申请的专利改善电力容差特性的薄膜体声波谐振器芯片封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114094974B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110138420.6，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权改善电力容差特性的薄膜体声波谐振器芯片封装结构是由金泳勋设计研发完成，并于2021-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善电力容差特性的薄膜体声波谐振器芯片封装结构在说明书摘要公布了：适用本发明之一实施例的改善电力容差特性的薄膜体声波谐振器芯片封装结构，包括：第1基板，形成有包括下部电极、压电层以及上部电极的多个薄膜体声波谐振器，以及与上述下部电极或上部电极连接的第1焊接焊盘；以及，第2基板，包括贯通基板的多个导通孔，在上述各个导通孔两端的与上述第1基板相向的面上形成有第2焊接焊盘，而在不与上述第1基板相向的面上形成有多个外部连接焊盘；通过本发明，可以提供与现有方式相比改善电力容差特性的薄膜体声波谐振器芯片封装结构，还可以同时满足薄膜体声波谐振器FBAR芯片结构及封装的电力容差性能以及封装小型化需求。

本发明授权改善电力容差特性的薄膜体声波谐振器芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种改善电力容差特性的薄膜体声波谐振器芯片封装结构，其特征在于，包括：第1基板，形成有包括下部电极、压电层以及上部电极的多个薄膜体声波谐振器，以及与上述下部电极或上部电极连接的第1焊接焊盘；以及，第2基板，包括贯通基板的多个导通孔，在上述各个导通孔两端的与上述第1基板相向的面上形成有第2焊接焊盘，而在不与上述第1基板相向的面上形成有多个外部连接焊盘；其中，上述第1基板与上述第2基板是通过上述第1焊接焊盘与上述第2焊接焊盘之间的焊接而相互焊接，上述下部电极中的至少一部分通过利用导电性物质填充的压电层导通孔与上述第1焊接焊盘连接，上述第2基板的上述多个导通孔包括通过上述外部连接焊盘与信号线或接地线连接的第1导通孔以及没有与信号线或接地线连接的第2导通孔；在上述第1基板中，上述各个下部电极的下侧形成有气穴，并且在气穴之间形成至少一部分散热器槽。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津威盛电子有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道乌山市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。