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龙图腾网恭喜铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203233B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110101661.3，技术领域涉及：G11C16/02；该发明授权半导体存储装置是由村山昭之;杉前纪久子;西山胜哉;藤松基彦;柴田昇设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明的实施方式提供一种可靠性较高的半导体存储装置。本发明的实施方式的半导体存储装置具备：第1存储器串，包含第1存储单元；第2存储器串，包含第2存储单元；第1位线，连接于第1存储器串；及第2位线，连接于第2存储器串。在第1编程动作中，向第1位线及第2位线供给第1位线电压。在第2编程动作中，向第1位线及第2位线供给大于第1位线电压的第2位线电压或大于第2位线电压的第3位线电压。在第3编程动作中，向第1位线供给第2位线电压，向第2位线供给第3位线电压。在第4编程动作中，向第1位线供给第3位线电压，向第2位线供给第2位线电压。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备：第1存储器串，包含第1存储单元；第2存储器串，包含第2存储单元；第1位线，连接于所述第1存储器串；第2位线，连接于所述第2存储器串；第1字线，连接于所述第1存储单元及所述第2存储单元；以及控制电路，电连接于所述第1位线、所述第2位线及所述第1字线；且所述控制电路在对所述第1存储单元及所述第2存储单元的第1写入序列的第1编程动作中，向所述第1位线及所述第2位线供给第1位线电压，在所述第1编程动作之后执行的第2编程动作中，向所述第1位线及所述第2位线供给大于所述第1位线电压的第2位线电压或大于所述第2位线电压的第3位线电压，在所述第2编程动作之后执行的第3编程动作中，向所述第1位线供给所述第2位线电压，向所述第2位线供给所述第3位线电压，在所述第3编程动作之后执行的第4编程动作中，向所述第1位线供给所述第3位线电压，向所述第2位线供给所述第2位线电压。

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