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龙图腾网恭喜礼鼎半导体科技秦皇岛有限公司;礼鼎半导体科技(深圳)有限公司申请的专利封装电路结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114793394B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110097582.X，技术领域涉及：H05K3/30；该发明授权封装电路结构及其制作方法是由黄钏杰;刘晋铭设计研发完成，并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本封装电路结构及其制作方法在说明书摘要公布了：一种封装电路结构，包括多层电路基板、电子元件以及绝缘层，所述多层电路基板包括一金属部，且所述多层电路基板上设有一开窗，其特征在于，所述开窗从所述多层电路基板的第一侧朝与所述第一侧相背的第二侧延伸，且所述金属部位所述开窗的底壁；所述电子元件收容于所述开窗中并与所述金属部粘接，且所述电子元件与所述多层电路基板电连接；所述绝缘层封装所述电子元件于所述开窗内。所述封装电路结构有利于降低整体厚度。本申请还提供一种封装电路结构的制作方法。

本发明授权封装电路结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种封装电路结构的制作方法，其包括以下步骤：提供一多层电路基板，包括金属部和自所述多层电路基板的第一侧沿厚度方向朝与所述第一侧相背的第二侧延伸的开窗区，所述金属部设置于所述开窗区的底部以承载所述开窗区；去除所述开窗区形成开窗，其中，所述开窗的底壁均由所述金属部构成，所述开窗的宽度自所述第一侧朝所述第二侧逐渐减小；将一电子元件安装于所述开窗内并通过所述金属部承载，且所述电子元件电连接所述多层电路基板；以及封装所述电子元件；所述多层电路基板制备包括以下步骤：提供一芯板，包括沿厚度方向依次层叠的第一金属箔、内层介电层和第二金属箔；对所述芯板进行线路制作，使所述第一金属箔对应形成第一内层线路层，所述第二金属箔对应形成第二内层线路层，且所述第一内层线路层与所述第二内层线路层电连接，从而获得内层线路基板；其中，所述第一内层线路层包括所述金属部；所述第二内层线路层对应所述金属部设有第一开口；在所述第一内层线路层上增层形成第一外层线路基板，在所述第二内层线路层上增层形成第二外层线路基板，所述第一外层线路基板包括与第一内层线路层结合的第一外层介电层和设置于所述第一外层介电层背离所述内层线路基板一侧的第一外层线路层，所述第二外层线路基板包括与所述第二内层线路层结合的第二外层介电层和设置于所述第二外层介电层背离所述内层线路基板一侧的第二外层线路层。

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