恭喜美光科技公司R·艾哈迈德获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利导电互连件和形成导电互连件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257736B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110052889.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权导电互连件和形成导电互连件的方法是由R·艾哈迈德;F·斯佩蒂延斯;D·S·米勒;S·N·S·查拉马拉塞蒂;D·普拉特;胡怡;宋勇达;A·K·保谢尔;A·R·吉布森设计研发完成，并于2021-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本导电互连件和形成导电互连件的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及导电互连件和形成导电互连件的方法。一些实施例包含一种形成集成式组合件的方法。形成包含延伸穿过绝缘块体的导电柱的布置。使所述导电柱的上表面凹入以形成腔。在所述腔内形成绝缘衬圈以为所述腔的外部横向周边加衬。所述导电柱的凹入表面在所述经加衬腔的底部暴露。在所述绝缘块体上方形成导电阔区。所述导电阔区的一部分延伸到所述腔中并且配置为互连件。将所述导电阔区图案化成多个导电结构。所述导电结构中的一个包含所述互连件。
本发明授权导电互连件和形成导电互连件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成集成式组合件的方法，其包括：形成包含导电衬里和延伸穿过绝缘块体的导电柱的布置；使所述导电衬里和所述导电柱的上表面凹入以形成腔，所述凹入使所述导电衬里的部分在高度上延伸至所述导电柱的所述上表面之上；在所述腔内形成绝缘衬圈以为所述腔的外部横向周边加衬，所述导电柱的凹入表面在经加衬的所述腔的底部暴露；在所述绝缘块体上方形成导电阔区，所述导电阔区的一部分延伸到所述腔中并且配置为竖直延伸的互连件；和将所述导电阔区图案化成多个导电结构；所述导电结构中的一个导电结构包含所述竖直延伸的互连件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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