买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜成都明夷电子科技股份有限公司申请的专利一种SiGe工艺信号放大器尾电流偏置电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112230702B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011210745.2，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种SiGe工艺信号放大器尾电流偏置电路是由赵欣设计研发完成，并于2020-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiGe工艺信号放大器尾电流偏置电路在说明书摘要公布了：一种SiGe工艺信号放大器尾电流偏置电路，偏置电流源输出偏置电流的端口连接到三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的发射极通过电阻R1后接地，所述三极管Q1的基极连接到三极管Q2的基极，三极管Q2的发射极通过电阻R2后和电阻R1接地端共地，所述三极管Q1基极还通过电容C1后和电阻R2、电阻R1接地端共地；三极管Q2集电极分别连接到两个三极管Q3、Q4的发射极，所述三极管Q3的集电极通过电阻R3后连接电源，所述三极管Q4的集电极通过电阻R4后连接电源，三极管Q3和Q4的基极分别连接一个差分信号输入；所述三极管Q1的集电极通过一个DNWCMOS模块连接到三极管Q1的基极。

本发明授权一种SiGe工艺信号放大器尾电流偏置电路在权利要求书中公布了：1.一种SiGe工艺信号放大器尾电流偏置电路，其特征在于：偏置电流源输出偏置电流的端口连接到三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的发射极通过电阻R1后接地，所述三极管Q1的基极连接到三极管Q2的基极，三极管Q2的发射极通过电阻R2后和电阻R1接地端共地，所述三极管Q1基极还通过电容C1后和电阻R2、电阻R1接地端共地；三极管Q2集电极分别连接到两个三极管Q3、Q4的发射极，所述三极管Q3的集电极通过电阻R3后连接电源，所述三极管Q4的集电极通过电阻R4后连接电源，三极管Q3和Q4的基极分别连接一个差分信号输入；所述三极管Q1的集电极通过一个DNWCMOS模块连接到三极管Q1的基极，所述DNWCMOS模块的电路结构为：三极管Q1的集电极连接到NMOS管NM1的栅极，所述NMOS管NM1的漏极连接电源，NMOS管NM1的源极和基体端连接，NMOS管NM1的源极通过二极管D1后连接电源，所述NMOS管NM1的源极还通过一个反向的二极管D2后接地，NMOS管NM1的源极还连接到三极管Q1的基极；所述三极管Q1的集电极和DNWCMOS模块之间还设置有一个LevelShifter模块，所述LevelShifter模块的电路结构为：PMOS管PM1的漏极和PMOS管PM2的漏极连接到电源，所述PMOS管PM1的栅极和PMOS管PM2的栅极连接，PMOS管PM1的源极和栅极连接，PMOS管PM2的源极和NMOS管NM2的漏极连接，NMOS管NM2的漏极和栅极连接；所述PMOS管PM1的源极连接到NMOS管NM4的漏极连接，所述NMOS管NM2的源极和NMOS管NM5的漏极连接，所述NMOS管NM3的栅极、NMOS管NM4的栅极和NMOS管NM5的栅极连接，所述NMOS管NM3的漏极和栅极连接并接一端接电源并向下供电的电流源，所述NMOS管NM3的源极、NMOS管NM4的源极和NMOS管NM5的源极共地；以PMOS管PM2的源极作为输入端连接到DNWCMOS模块，以NMOS管NM2的源极作为输出端连接到三极管Q1的集电极；所述偏置电流源的电路结构为：PMOS管PM3的漏极、PMOS管PM4的漏极和PMOS管PM5的漏极连接到电源，PMOS管PM3的栅极和PMOS管PM4的栅极连接，所述PMOS管PM5的栅极、PMOS管PM6的栅极和PMOS管PM7的栅极连接到一起，所述PMOS管PM3的源极连接到PMOS管PM6的漏极，所述PMOS管PM3的栅极连接到PMOS管PM6的源极，所述PMOS管PM7的源极作为输出偏置电流的端口，所述PMOS管PM5的源极和PMOS管PM6的源极接下拉接地的电流源。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都明夷电子科技股份有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区德华路333号谢威中心A座9层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。