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龙图腾网恭喜力旺电子股份有限公司申请的专利运用于多层式存储单元数组的编程与验证方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114187951B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011122786.6，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权运用于多层式存储单元数组的编程与验证方法是由陈英哲;古惟铭;孙文堂设计研发完成，并于2020-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本运用于多层式存储单元数组的编程与验证方法在说明书摘要公布了：一种多层式存储单元数组的编程与验证方法，该多层式存储单元数组包括：一第一列的多个存储单元，连接至一字线、一源极线、一抹除线以及多条位线，每一该存储单元在一编程周期时会被编程至一目标储存状态，该目标储存状态为X个储存状态其中之一，该编程与验证方法包括下列步骤：a1决定该第一列为一选定列，并设定A等于1；a2在该选定列中，除了到达该目标储存状态的存储单元以及坏存储单元之外，将其他存储单元编程至一第A储存状态；a3当A不等于X时，将A加1并回到步骤a2；以及a4当A等于X时，结束该编程周期；其中，在该步骤a2中，对选定列的该其他存储单元进行多次的写入动作以及多次的验证动作，直到该其他存储单元到达该第A储存状态为止。

本发明授权运用于多层式存储单元数组的编程与验证方法在权利要求书中公布了：1.一种多层式存储单元数组的编程与验证方法，该多层式存储单元数组包括：一第一列的多个存储单元，连接至一第一字线、一源极线、一抹除线以及多条位线，一屏蔽线位于该第一列的该多个存储单元之间，该屏蔽线未连接至该第一列的该多个存储单元，每一该存储单元在一编程周期时会被编程至一目标储存状态，该目标储存状态为X个储存状态其中之一，该编程与验证方法包括下列步骤：a1动作该第一字线以决定该第一列为一选定列，并设定A等于1代表编程至一第一储存状态的阶段；a2在该选定列中，除了到达该目标储存状态的存储单元以及坏存储单元之外，将其他存储单元编程至一第A储存状态；a3当A不等于X时，将A加1代表编程至该第A储存状态的阶段，并回到步骤a2；以及a4当A等于X时，结束该编程周期；其中，A与X为整数；其中，在该步骤a2中，对选定列的该其他存储单元进行多次的写入动作以及多次的验证动作，直到该其他存储单元到达该第A储存状态为止；其中，在一读取周期以及该编程周期时，该屏蔽线与该抹除线接收相同的一电压用于防止该第一列的该多个存储单元之间的一耦合效应。

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