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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156228B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010929718.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由于海龙;荆学珍;张浩;张田田;孟晋辉设计研发完成，并于2020-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一介质层和若干栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内具有源漏掺杂区，且所述源漏掺杂区顶部表面具有源漏插塞，所述第一介质层位于所述栅极结构、源漏掺杂区以及源漏插塞表面；在所述第一介质层内形成第一插塞，所述第一插塞与所述源漏插塞顶部表面或者栅极结构顶部表面相接触；在所述第一介质层表面形成第二介质层，且所述第二介质层覆盖所述第一插塞表面；在所述第一介质层和第二介质层内形成第二插塞材料膜，所述第二插塞材料膜与所述源漏插塞顶部表面或者栅极结构顶部表面相接触。所述方法有利于提高形成的半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成第一介质层和若干栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内具有源漏掺杂区，且所述源漏掺杂区顶部表面具有源漏插塞，所述第一介质层位于所述栅极结构、源漏掺杂区以及源漏插塞表面；在所述第一介质层内形成第一插塞，所述第一插塞与所述源漏插塞顶部表面或者栅极结构顶部表面相接触；在所述第一介质层表面形成第二介质层，且所述第二介质层覆盖所述第一插塞表面；在所述第一介质层和第二介质层内形成第二插塞材料膜，所述第二插塞材料膜与所述源漏插塞顶部表面或者栅极结构顶部表面相接触；平坦化所述第二插塞材料膜，直至暴露出第一介质层表面和第一插塞顶部表面，在所述第一介质层内形成第二插塞，且所述第二插塞与所述源漏插塞顶部表面或者栅极结构顶部表面相接触；所述第一插塞的形成方法包括：在所述第一介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露出所述源漏插塞顶部表面或者栅极结构顶部表面；在所述第一开口内和第一介质层表面形成第一插塞材料膜；平坦化所述第一插塞材料膜，直至暴露出第一介质层表面，在所述第一开口内形成所述第一插塞。

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