恭喜美光科技公司K·M·考尔道获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利铁电晶体管及包括铁电晶体管的组合件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114303245B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080060213.7，技术领域涉及：H10D64/68；该发明授权铁电晶体管及包括铁电晶体管的组合件是由K·M·考尔道;刘海涛;D·V·N·拉马斯瓦米设计研发完成，并于2020-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本铁电晶体管及包括铁电晶体管的组合件在说明书摘要公布了：一些实施例包含一种铁电晶体管，其具有第一电极及第二电极。所述第二电极从所述第一电极偏移达有源区。晶体管栅极沿着所述有源区的一部分。所述有源区包含相邻于所述第一电极的第一源极漏极区、相邻于所述第二电极的第二源极漏极区及所述第一与第二源极漏极区之间的主体区。所述主体区包含相邻于所述晶体管栅极的门控沟道区。所述有源区包含所述第二电极与所述门控沟道区之间的至少一个屏障，其可由电子穿透但不能由空穴穿透。铁电材料在所述晶体管栅极与所述门控沟道区之间。
本发明授权铁电晶体管及包括铁电晶体管的组合件在权利要求书中公布了：1.一种铁电晶体管，其包括：第一电极；第二电极，其相隔有源区从所述第一电极偏移；晶体管栅极，其沿着所述有源区的一部分；所述有源区，其包含相邻于所述第一电极的第一源极漏极区、相邻于所述第二电极的第二源极漏极区及所述第一与第二源极漏极区之间的主体区；所述主体区包含相邻于所述晶体管栅极的门控沟道区；所述有源区包含所述第二电极与所述门控沟道区之间的至少一个屏障，其能够由电子穿透但不能由空穴穿透；及铁电材料，其在所述晶体管栅极与所述门控沟道区之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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