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龙图腾网恭喜深圳雷曼光电科技股份有限公司;惠州雷曼光电科技有限公司申请的专利一种倒装Micro LED全彩量子点芯片、其制备方法和用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111326621B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010258622.X，技术领域涉及：H10H20/813；该发明授权一种倒装Micro LED全彩量子点芯片、其制备方法和用途是由李漫铁;余亮;屠孟龙设计研发完成，并于2020-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倒装Micro LED全彩量子点芯片、其制备方法和用途在说明书摘要公布了：本发明涉及一种倒装MicroLED全彩量子点芯片、其制备方法和用途。本发明提供的倒装MicroLED全彩量子点芯片，可以在单个LED芯片上形成红蓝绿的发光结构，无需设置RGB阵列，可大幅巨量转移效率和良率；单颗芯片不仅可以完成全彩发光，而且还节省晶圆面积和芯片成本，有利于下游企业大规模生产；附加量子材料可使芯片的显示效果不受电流的波动而受到影响。本发明通过在所述倒装MicroLED全彩量子点芯片中，设置三个负极和一个公用正极，可在一个芯片上实现红、绿、蓝单独光色发光，或两种光色同时发光，或三种光色同时发光的效果，实现发光光色可调。

本发明授权一种倒装Micro LED全彩量子点芯片、其制备方法和用途在权利要求书中公布了：1.一种倒装MicroLED全彩量子点芯片，其特征在于，所述倒装MicroLED全彩量子点芯片包括衬底和依次设置于所述衬底表面的第一蓝光外延层、第一氧化铟锡层、第一发光量子点层、第二蓝光外延层、第二氧化铟锡层、第二发光量子点层、第三蓝光外延层、第三氧化铟锡层和DBR反射层；所述第一蓝光外延层、第二蓝光外延层和第三蓝光外延层的组成各自独立地包括：依次设于所述衬底表面的蓝光N型氮化镓层、蓝光有源层和蓝光P型氮化镓层；所述倒装MicroLED全彩量子点芯片中，第一N电极从远离衬底的芯片表面贯穿至第一蓝光外延层中的蓝光N型氮化镓层，第二N电极从远离衬底的芯片表面贯穿至第二蓝光外延层中的蓝光N型氮化镓层，第三N电极从远离衬底的芯片表面贯穿至第三蓝光外延层中的蓝光N型氮化镓层，第四P电极从远离衬底的芯片表面贯穿至第一蓝光外延层中的蓝光P型氮化镓层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳雷曼光电科技股份有限公司;惠州雷曼光电科技有限公司，其通讯地址为：518108 广东省深圳市南山区松白路百旺信高科技工业园二区第八栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。