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龙图腾网恭喜英特尔公司申请的专利用于高级集成电路结构制造的替换栅极结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109860176B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811297814.0，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权用于高级集成电路结构制造的替换栅极结构是由B·何;S·亚罗维亚尔;J·S·莱布;M·L·哈藤多夫;C·P·奥特设计研发完成，并于2018-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于高级集成电路结构制造的替换栅极结构在说明书摘要公布了：本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括鳍状物。隔离结构围绕所述下鳍状物部分，所述隔离结构包括具有顶表面的绝缘材料、以及所述绝缘材料的所述顶表面的部分上的半导体材料，其中所述半导体材料与所述鳍状物分开。栅极电介质层在所述上鳍状物部分的顶部之上并与所述上鳍状物部分的侧壁横向相邻，所述栅极电介质层进一步在所述绝缘材料的所述顶表面的所述部分上的所述半导体材料上。栅极电极在所述栅极电介质层之上。

本发明授权用于高级集成电路结构制造的替换栅极结构在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构，包括：从半导体衬底突出的鳍状物，所述鳍状物具有下鳍状物部分和上鳍状物部分，所述上鳍状物部分具有顶部和侧壁；围绕所述下鳍状物部分的隔离结构，所述隔离结构包括具有顶表面的绝缘材料、以及所述绝缘材料的所述顶表面的部分上的半导体材料，其中，所述半导体材料与所述鳍状物分开；栅极电介质层，其在所述上鳍状物部分的顶部之上并与所述上鳍状物部分的侧壁横向相邻，所述栅极电介质层进一步在所述绝缘材料的所述顶表面的所述部分上的所述半导体材料上；栅极电极，其在处于所述上鳍状物部分的顶部之上并与所述上鳍状物部分的侧壁横向相邻的所述栅极电介质层之上，所述栅极电极进一步在所述绝缘材料的所述顶表面的所述部分上的所述半导体材料上的所述栅极电介质层之上；与所述栅极电极的第一侧相邻的第一源极或漏极区；以及与所述栅极电极的第二侧相邻的第二源极或漏极区，所述第二侧与所述第一侧相对。

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