北京怀柔实验室魏晓光获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利高关断能力的功率半导体器件以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118412370B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410742881.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权高关断能力的功率半导体器件以及制备方法是由魏晓光;苑广安;王耀华;高明超;李立;李宋伟;纪瑞朗;李玲设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本高关断能力的功率半导体器件以及制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种高关断能力的功率半导体器件以及制备方法，该功率半导体器件包括至少一个单元胞结构，每个单元胞结构包括依次层叠的阳极结构、基区结构、阴极结构、门极结构。其中，基区结构包括浮结区，浮结区的掺杂类型与基区结构的掺杂类型相反，浮结区，用于将阳极结构与阴极结构之间路径上的电流分流至阴极结构与门极结构之间的区域。通过在基区结构中加入浮结区，可以将阳极结构与阴极结构之间路径上的电流分流至阴极结构与门极结构之间的区域，从而减小阴极结构外侧边缘处的基区横向压降，可以达到阴极结构与门极结构快速换流的效果，进而有效提高功率半导体器件的关断能力。
本发明授权高关断能力的功率半导体器件以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高关断能力的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件包括：至少一个单元胞结构，每个所述单元胞结构包括阳极结构、基区结构、阴极结构、门极结构；其中，所述基区结构包括浮结区，所述浮结区的掺杂类型与所述基区结构的掺杂类型相反；所述浮结区，用于将所述阳极结构与所述阴极结构之间路径上的电流分流至所述阴极结构与所述门极结构之间的区域；其中，所述门极结构包括：第一门极和第二门极，所述浮结区包括第一浮结区和第二浮结区；所述第一浮结区设置于所述第一门极和所述阴极结构之间在所述基区结构上的投影区域；所述第二浮结区设置于所述第二门极和所述阴极结构之间在所述基区结构上的投影区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京怀柔实验室，其通讯地址为：101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号