北京怀柔实验室吴沛飞获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118431075B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410742886.0，技术领域涉及：H01L21/3205；该发明授权半导体器件的制备方法及半导体器件是由吴沛飞;魏晓光;张语;刘辉;李玲;刘瑞;焦倩倩;王凝一设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件。所述方法包括：提供半导体衬底结构和金属薄膜结构；将所述半导体衬底结构和所述金属薄膜结构中的至少一者加热至贴合温度；将所述半导体衬底结构的部分表面与所述金属薄膜结构的部分表面相贴合；固定所述半导体衬底结构与所述金属薄膜结构的贴合状态。采用本方法制备半导体器件，可以降低半导体器件中金属薄膜的制备难度，缩短制备时间，提高制备效率，提高金属膜层的均匀性和制备纯度，进而可以提高半导体器件的良品率。
本发明授权半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底结构和金属薄膜结构；将所述半导体衬底结构和所述金属薄膜结构中的至少一者加热至贴合温度；将所述半导体衬底结构的部分表面与所述金属薄膜结构的部分表面相贴合；固定所述半导体衬底结构与所述金属薄膜结构的贴合状态；其中，所述提供半导体衬底结构和金属薄膜结构，包括：提供半导体衬底和金属膜层；刻蚀所述半导体衬底，以得到所述半导体衬底结构；于所述半导体衬底结构和所述金属膜层的表面形成对准标记；对所述金属膜层进行图形化处理，以得到所述金属薄膜结构；其中，所述将所述半导体衬底结构的部分表面与所述金属薄膜结构的部分表面相贴合，包括：根据所述对准标记，将所述半导体衬底结构和所述金属薄膜结构对准设置。
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