北京怀柔实验室刘辉获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利功率半导体器件、其制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118712219B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410739951.4，技术领域涉及：H10D18/65；该发明授权功率半导体器件、其制备方法及应用是由刘辉;吴沛飞;魏晓光;李玲;刘瑞;焦倩倩;孙宁飞;黄志涛;姬世宇;王凝一设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件、其制备方法及应用在说明书摘要公布了：一种功率半导体器件及其制备方法。所述功率半导体器件包括半导体层、合金层、门极金属层和门极引出端，所述合金层、门极金属层、门极引出端均设置于所述半导体层的阴极面上，所述合金层设置于所述半导体层与所述门极金属层之间，所述合金层的厚度呈梯度分布。本发明通过在门极金属层与半导体层之间设置合金层，并对合金层的厚度进行设计，可以实现金属‑半导体接触电阻的优化分布，改善器件的开关特性和均流效果，从而提高芯片的开关安全性、控制灵活性和长期可靠性。
本发明授权功率半导体器件、其制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括半导体层、合金层、门极金属层和门极引出端，其中，所述合金层、门极金属层、门极引出端均设置于所述半导体层的阴极面上，且所述合金层设置于所述半导体层与所述门极金属层之间；在所述合金层与所述半导体层接触面积相同的情况下，所述合金层的厚度根据其与所述门极引出端的距离呈梯度分布，距离所述门极引出端的距离越远，所述合金层越厚；或者所述门极引出端为环形，与所述功率半导体器件同心设置，所述阴极面还设置有多个与所述门极引出端同心的阴极环，每个所述阴极环包括多条沿径向排列的阴极梳条，所述合金层与所述阴极梳条间隔排布，在所述合金层与所述半导体层接触面积相同的情况下，所述合金层的厚度根据其所处阴极环区域与所述门极引出端的径向距离呈所述梯度分布，每个阴极环区域的合金层厚度相同。
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