江苏卓胜微电子股份有限公司方义获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏卓胜微电子股份有限公司申请的专利一种射频开关器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222928739U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421127632.X，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型一种射频开关器件是由方义设计研发完成，并于2024-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种射频开关器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种射频开关器件。在所述射频开关器件中，在体区与P型半导体衬底PSUB之间设置有核心区域低压管P型阱PWCO；在器件区与P型半导体衬底PSUB之间设置有深层N型阱DNW；P型沟道区由贯穿所述深层N型阱DNW的开关管P型阱PWSW形成。与绝缘体上硅射频开关器件结构相比，在器件区与P型半导体衬底PSUB之间设置有深层N型阱DNW，所述P型沟道区由贯穿所述深层N型阱DNW的开关管P型阱PWSW形成，从而避免了在有源层和衬底层之间整体插入绝缘层，能够兼容已有的体硅工艺器件平台，且与与绝缘体上硅射频开关器件结构一样实现在关断状态下大幅降低衬底电容对器件影响的目的。
本实用新型一种射频开关器件在权利要求书中公布了：1.一种射频开关器件，其特征在于，包括：P型半导体衬底PSUB；以及位于P型半导体衬底PSUB上方的体区和器件区，其中，在俯视视角上观察，所述体区环绕所述器件区；在所述体区与所述P型半导体衬底PSUB之间设置有核心区域低压管P型阱PWCO；在所述器件区与所述P型半导体衬底PSUB之间设置有深层N型阱DNW；所述器件区包括P型沟道区，以及分别位于P型沟道区两侧的N型源极区和N型漏极区；所述P型沟道区由贯穿所述深层N型阱DNW的开关管P型阱PWSW形成，所述开关管P型阱PWSW将所述深层N型阱DNW分隔为两个独立的子区域，在一个子区域的上方形成N型源极区，在另一个子区域的上方形成N型漏极区。
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