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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种基于MOS管的超小面积片上智能温度传感器及设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116337255B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310353756.3，技术领域涉及：G01K7/01；该发明授权一种基于MOS管的超小面积片上智能温度传感器及设计方法是由王爱丽;水宇航设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于MOS管的超小面积片上智能温度传感器及设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于MOS管的超小面积片上智能温度传感器及设计方法，通过用随温度变化呈负相关的CTAT参考源代替随温度变化恒定的CWT参考源，量化随温度变化呈正相关的PTAT感应电压，然后分析输出数据温度函数的泰勒级数，以此配置CTAT支路的MOS管参数，从而减小由于CTAT参考源引入的非线性；本发明中的温度传感器结构通过开关控制接入处于不同位置的温度感应模块，从而读取不同位置的温度信息，并通过复用占据主要面积的量化模块，可以满足超小面积的需求。本发明可作为温度监测模块应用于片上系统和物联网等领域。

本发明授权一种基于MOS管的超小面积片上智能温度传感器及设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于MOS管的超小面积片上智能温度传感器，其特征在于，包括模拟电路模块和数字电路模块，所述模拟电路模块，由CTAT支路和PTAT支路组成，所述CTAT支路和PTAT支路结构相同，均由四个MOS管、电压到电流转换器、电流控制振荡器组成，第一MOS管M1和第二MOS管M2组成2T结构，为温度感应前端的核心，并产生输出电压；第三MOS管M3和第四MOS管M4组成电压调制器，为2T结构提供电源电压；第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和第四MOS管M4共同组成4T结构的温度感应前端的电路；温度感应前端的输出电压通过放大器的负输入端接入由放大器、PMOS以及电阻组成的电压到电流转换器，从而将4T结构产生的输出电压复制到电阻上；支路的电流通过PMOS通入由三个延迟单元构成的电流控制振荡器中；然后将4T结构的温度感应前端作为所述传感器的温度感应模块，同时位于本地或者远端，并通过开关控制本地或者远端的温度感应模块，接入后面的放大器负输入端进行后续的量化工作，从而实现本地或者远端的温度感应；所述数字电路模块，使用所述CTAT支路的输出频率量化PTAT支路的输出频率从而得到相应的温度信息；所述CTAT支路的输出频率与PTAT支路的输出频率同时并分别通入第一计数器以及第二计数器，当第一计数器数满N个比特数时，其中N为7～9，通过逻辑控制模块停掉第二计数器，并将第二计数器中的数据传输至并行到串行数据转换器中，然后逻辑控制模块给第一计数器和第二计数器同时发送重置信号，开启下一轮量化；此时收到第二计数器中数据的并行到串行数据转换器先将数据存储起来，然后再利用下一轮计数的CTAT支路的输出频率将数据转换为串行数据并依次送出。

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