恭喜瑞砻科技股份有限公司何焱腾获国家专利权
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龙图腾网恭喜瑞砻科技股份有限公司申请的专利具有铝酸镧系介电层的III-V族半导体元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440578B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111539287.1，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权具有铝酸镧系介电层的III-V族半导体元件及其制造方法是由何焱腾;陈乃榕设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有铝酸镧系介电层的III-V族半导体元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有铝酸镧系介电层的III‑V族半导体元件的制造方法，该制造方法包括下列步骤：在一片基板上成形一III‑V族半导体通道层；在上述通道层上形成一阻挡层；在上述阻挡层上混层成形一La2‑xAlxO3铝酸镧层，其中该X小于1且大于等于0.1，上述源极和上述漏极是暴露于上述阻挡层和上述铝酸镧层；以及在上述铝酸镧层上成形一源极、一漏极，以及一介于前述源极和前述漏极间的栅极。此外，本发明还涉及具有铝酸镧系介电层的III‑V族半导体元件。
本发明授权具有铝酸镧系介电层的III-V族半导体元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有铝酸镧系介电层的III-V族半导体元件的制造方法，其特征是，包括下列步骤：a在一片基板上成形一III-V族半导体通道层；b在上述通道层上形成一阻挡层；c在上述阻挡层上形成彼此远离的一源极和一漏极；d在上述阻挡层上混层成形一La2-xAlxO3铝酸镧层，其中该X小于1且大于等于0.1，其中上述源极和上述漏极是暴露于上述阻挡层和上述铝酸镧层；以及e在上述铝酸镧层上成形一介于上述源极和上述漏极间的栅极；其中，上述步骤d进一步包括交错成长多个氧化镧及多个氧化铝层的次步骤d1；以及随后施加摄氏400至800度退火，使得上述氧化镧层及氧化铝层均匀混层的次步骤d2。
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