恭喜新加坡商格罗方德半导体私人有限公司文峰雄获国家专利权
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龙图腾网恭喜新加坡商格罗方德半导体私人有限公司申请的专利具有多厚度缓冲介电层的扩展漏极金属氧化物半导体设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188393B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110929600.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有多厚度缓冲介电层的扩展漏极金属氧化物半导体设备是由文峰雄;U·辛格;高正茂设计研发完成，并于2021-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有多厚度缓冲介电层的扩展漏极金属氧化物半导体设备在说明书摘要公布了：本发明涉及具有多厚度缓冲介电层的扩展漏极金属氧化物半导体设备，提供一种扩展漏极金属氧化物半导体设备的结构和用于形成扩展漏极金属氧化物半导体设备的结构的方法。在基板中形成第一源极漏极区域和第二源极漏极区域，并且在所述基板上方形成栅极电极。栅极电极具有侧壁，并且栅极电极横向定位在所述第一源极漏极区域和所述第二源极漏极区域之间。形成缓冲介电层，包含具有位于基板和栅极电极之间的第一部分的第一介电层。介电层还具有位于横向位于栅极电极的侧壁与第一源极漏极区域之间的基板上的第二部分。所述介电层的第一部分具有第一厚度，并且第一介电层的第二部分具有小于第一厚度的第二厚度。
本发明授权具有多厚度缓冲介电层的扩展漏极金属氧化物半导体设备在权利要求书中公布了：1.一种用于扩展漏极金属氧化物半导体设备的结构，所述结构包括：基板；源极区域和漏极区域，位于所述基板中；栅极电极，位于所述基板上方，所述栅极电极具有侧壁，并且所述栅极电极横向位于所述源极区域和所述漏极区域之间；以及缓冲介电层，包含具有侧面的第一介电层，所述第一介电层具有位于所述基板和所述栅极电极之间的第一部分，所述第一介电层具有横向位于所述栅极电极的所述侧壁和所述源极区域和所述漏极区域中的一个之间的所述基板上的第二部分，所述第一介电层具有横向位于所述第一介电层的所述第二部分和所述侧面之间的所述基板上的第三部分，所述第一介电层的所述第一部分具有第一厚度，所述第一介电层的所述第二部分具有小于所述第一厚度的第二厚度，并且所述第一介电层的所述第三部分具有小于所述第二厚度的第三厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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