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龙图腾网恭喜深圳真茂佳半导体有限公司申请的专利氮化镓HEMT芯片整合封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113629017B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110910426.0，技术领域涉及：H01L23/12；该发明授权氮化镓HEMT芯片整合封装结构及其制造方法是由谢文华;任炜强设计研发完成，并于2021-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化镓HEMT芯片整合封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：涉及氮化镓HEMT芯片整合封装结构及其制造方法，结构依照封装工序依序包括位于封装底面的散热载片、氮化镓HEMT芯片、第一封装胶层、扇出线路层、MOSFET芯片、第二封装胶层及金属岛层。扇出线路层的第一源极内岛形成于偏离氮化镓HEMT芯片的区块中,漏极线路的一端扇出延伸以远离氮化镓HEMT芯片,柵极线路位于第一源极内岛与漏极线路之间;MOSFET芯片设置于第一源极内岛上,使MOSFET芯片的漏极有间隔连接至氮化镓HEMT芯片的源极;金属岛层的第二源极内岛导通互连MOSFET芯片的第二源极垫与柵极线路,使MOSFET芯片的源极短路径连接氮化镓HEMT芯片的柵极，MOSFET芯片位于不同于氮化镓HEMT芯片的封装胶层中，结构具有减少寄生电感与提高MOSFET芯片反应灵敏的效果。

本发明授权氮化镓HEMT芯片整合封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓HEMT芯片整合封装结构，其特征在于，包括：位于封装底面的散热载片；氮化镓HEMT芯片，设置在所述散热载片上，使所述氮化镓HEMT芯片的背面热耦合至所述散热载片，所述氮化镓HEMT芯片的正面设置有第一源极垫、第一栅极垫与第一漏极垫；第一封装胶层，形成在所述散热载片上，以密封所述氮化镓HEMT芯片，所述第一封装胶层在所述氮化镓HEMT芯片上具有第一模封高度，所述第一封装胶层开设有第一通孔，以显露所述第一源极垫、所述第一栅极垫与所述第一漏极垫；扇出线路层，形成在所述第一封装胶层上，所述扇出线路层包括：通孔导通至所述第一源极垫的第一源极内岛、通孔导通至所述第一栅极垫的栅极线路以及通孔导通至所述第一漏极垫的漏极线路，其中，所述第一源极内岛形成于偏离所述氮化镓HEMT芯片的区块中，所述漏极线路的一端扇出延伸以远离所述氮化镓HEMT芯片，所述栅极线路位于所述第一源极内岛与所述漏极线路之间；MOSFET芯片，设置在所述第一源极内岛上，使所述MOSFET芯片的背面漏极层电连接所述第一源极垫，所述MOSFET芯片的正面设置有第二源极垫与第二栅极垫；第二封装胶层，形成在所述第一封装胶层与所述扇出线路层上，所述第二封装胶层在所述MOSFET芯片上具有第二模封高度，所述第二封装胶层开设有第二通孔，以显露所述第二源极垫与所述第二栅极垫；金属岛层，形成在所述第二封装胶层上，所述金属岛层包括：通孔导通互连所述第二源极垫与所述栅极线路的第二源极内岛以及通孔导通至所述第二栅极垫的栅极内岛；其中，所述散热载片割裂为在散热主岛周边且导通至所述第二源极内岛的源极外岛、导通至所述栅极内岛的栅极外岛以及导通至所述漏极线路在扇出端的漏极外岛；随着所述栅极外岛在正负电压工作范围内所述MOSFET芯片的开通或关闭，所述氮化镓HEMT芯片的所述第一源极垫的电位也能同步调低或调高，以同步开启或关闭所述氮化镓HEMT芯片。

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