恭喜苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体结构和半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113906574B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980096751.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体结构和半导体结构的制备方法是由程凯设计研发完成，并于2019-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构和半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构和半导体结构的制备方法，涉及微电子技术领域。该半导体结构包括缓冲层，所述缓冲层包括扩散元素；形成于所述缓冲层上的扩散阻挡层，所述扩散阻挡层包括吸附性元素；以及形成于所述扩散阻挡层上的沟道层。本申请中，所述扩散阻挡层设置有吸附扩散元素的吸附性元素，从而有效阻挡扩散元素从缓冲层扩散至沟道层。此外，通过设置扩散阻挡层中吸附性元素的组分变化来避免扩散阻挡层的应力释放。
本发明授权半导体结构和半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：缓冲层，所述缓冲层包括扩散元素；形成于所述缓冲层上的扩散阻挡层，所述扩散阻挡层包括吸附性元素；以及形成于所述扩散阻挡层上的沟道层，其中沿所述扩散阻挡层外延的方向，所述扩散阻挡层中所述吸附性元素的组分减小；所述扩散阻挡层包括III-V族化合物，所述III-V族化合物包括In的化合物，所述吸附性元素为In，所述In的化合物包括AlInGaN，并且Al组分小于In组分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶湛半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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