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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855315B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510336466.7，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种发光二极管芯片及其制备方法是由李文涛;邹燕玲;张存磊;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，所述发光二极管芯片包括自下而上层叠设置的导电硅片、金属键合层、N型导电金属层、第一绝缘保护层、P型导电金属层、P型反射金属层、电流阻挡层、电流扩展层、外延层，P型导电金属层的边缘在电流扩展层上的投影位于隔离槽在电流扩展层上的投影内，且P型导电金属层的边缘在电流扩展层上的投影至隔离槽的边缘在电流扩展层上的投影之间的距离与隔离槽的宽度的比例为13~23；通过电流扩展层上设置隔离槽和切割墙，P型导电金属层的边缘与隔离槽的距离比例关系，有助于控制电流在发光二极管芯片内的分布，避免电流过度集中，电流更均匀地扩展到外延层，提高了发光二极管芯片的整体发光效率和稳定性。

本发明授权一种发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管芯片，其特征在于：包括自下而上层叠设置的导电硅片、金属键合层、N型导电金属层、第一绝缘保护层、P型导电金属层、P型反射金属层、电流阻挡层、电流扩展层和外延层；所述电流扩展层上相对的两侧均设置隔离槽和切割墙，沿水平方向所述隔离槽位于所述外延层和所述切割墙之间，所述P型导电金属层的边缘在所述电流扩展层上的投影位于所述隔离槽在所述电流扩展层上的投影内，且所述P型导电金属层的边缘在所述电流扩展层上的投影与所述隔离槽的边缘在所述电流扩展层上的投影之间的距离与所述隔离槽的宽度的比例为13~23，所述外延层及所述切割墙的表面设置第二绝缘保护层；所述P型导电金属层上设置P型焊盘层。

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