恭喜晶科能源(海宁)有限公司魏赫获国家专利权
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龙图腾网恭喜晶科能源(海宁)有限公司申请的专利一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119836046B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510316679.3，技术领域涉及：H10F77/1223；该发明授权一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法是由魏赫;吴君立;张彼克;金井升设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法，太阳能电池包括硅基底和叠层结构，沿太阳能电池的厚度方向，叠层结构设置于硅基底的背面。硅基底和叠层结构内含有锑元素。其中，叠层结构至少包括沿太阳能电池的厚度方向依次堆叠设置的第一隧穿氧化层、第一掺杂多晶硅层、第二隧穿氧化层和第二掺杂多晶硅层。第二隧穿氧化层中锑元素掺杂浓度高于第一掺杂多晶硅层中锑元素掺杂浓度。叠层结构中的锑元素能够与硅元素产生键合，有效的提升钝化效果，解决载流子传导性较低的问题，提升太阳能电池的工作效率。且使叠层结构沿太阳能电池的厚度方向具有一定的浓度梯度特征，能够提升叠层结构中载流子的传导性，从而能够降低太阳能电池的串联电阻。
本发明授权一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池（1）包括硅基底（11）和叠层结构（12）；沿所述太阳能电池（1）的厚度方向，所述叠层结构（12）设置于所述硅基底（11）的背面；所述硅基底（11）和所述叠层结构（12）内含有锑元素；其中，所述叠层结构（12）至少包括沿所述太阳能电池（1）的厚度方向依次堆叠设置的第一隧穿氧化层（121）、第一掺杂多晶硅层（122）、第二隧穿氧化层（123）和第二掺杂多晶硅层（124）；所述第二隧穿氧化层（123）中锑元素掺杂浓度高于所述第一掺杂多晶硅层（122）中锑元素掺杂浓度。
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