恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司阮钢获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855220B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510307642.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种半导体结构的制作方法是由阮钢;冯孔孔;罗钦贤;苏圣哲;邵章朋设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上设置有半导体器件的栅极结构，所述栅极结构突出设置在所述衬底上；在所述栅极结构的两侧形成侧墙结构；在所述衬底、所述栅极结构和所述侧墙结构上形成接触孔刻蚀停止层；对所述接触孔刻蚀停止层进行清洗；对所述接触孔刻蚀停止层进行预处理；在所述接触孔刻蚀停止层上形成介质层。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，能够减少在层间介质层内产生空洞和缝隙等缺陷，提高半导体结构的良率。
本发明授权一种半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上设置有半导体器件的栅极结构，所述栅极结构突出设置在所述衬底上；在所述栅极结构的两侧形成侧墙结构；在所述衬底、所述栅极结构和所述侧墙结构上形成接触孔刻蚀停止层；对所述接触孔刻蚀停止层进行清洗，所述接触孔刻蚀停止层通过清洗后，在相邻所述栅极结构之间的间隙底部形成富水层；对所述接触孔刻蚀停止层进行预处理；所述预处理包括加热处理和等离子处理，通过所述预处理，在相邻所述栅极结构之间的间隙底部的所述富水层转变为富硅层；以及在所述接触孔刻蚀停止层上形成介质层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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