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龙图腾网恭喜北京特思迪半导体设备有限公司申请的专利基于多光束的终点检测方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119820465B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510301660.1，技术领域涉及：B24B37/013；该发明授权基于多光束的终点检测方法及设备是由周惠言;葛乃义;孟炜涛;宁婧竹;孙昕宇;黄银国;蒋继乐设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于多光束的终点检测方法及设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于多光束的终点检测方法及设备。应用于半导体加工领域。该方法包括：利用晶圆磨削终点对应的目标晶圆薄膜厚度、晶圆薄膜的折射率、光束的入射角计算多光束中的任一入射光束的波长；至少利用波长和波长分别建立晶圆薄膜厚度与反射率的对应关系曲线，其中反射率随厚度周期性变化，且波长所建立的对应关系曲线中目标晶圆薄膜厚度所对应的点处于曲线中的预定范围内；将包含波长和波长的至少两个光束照射至晶圆薄膜表面，并利用目标晶圆薄膜厚度所对应的反射率和对应关系曲线监测晶圆薄膜的厚度是否达到目标晶圆薄膜厚度。本发明提高终点检测的灵敏度和测量的准确度。

本发明授权基于多光束的终点检测方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种基于多光束的终点检测方法，其特征在于，包括：利用晶圆磨削终点对应的目标晶圆薄膜厚度、晶圆薄膜的折射率、光束的入射角计算多光束中的任一入射光束的波长；至少利用波长和波长分别建立晶圆薄膜厚度与反射率的对应关系曲线，其中反射率随厚度周期性变化，且波长所建立的对应关系曲线中目标晶圆薄膜厚度所对应的点处于曲线中的预定范围内，所述预定范围是以曲线中梯度最大点为中间点向前、后延伸T1512的范围，T1为波长的所述对应关系曲线的周期；在晶圆磨削过程中，将包含波长和波长的至少两个光束照射至晶圆薄膜表面，并利用所述目标晶圆薄膜厚度所对应的反射率和所述对应关系曲线监测晶圆薄膜的厚度是否达到所述目标晶圆薄膜厚度；其中，确定多光束中的所述任一入射光束的波长包括：按照如下方式计算波长的取值范围： ；其中，m∈[]，为初相位，对m取任意值并通过得到波长的取值范围；在波长的取值范围中任选一个值得到波长。

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