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龙图腾网恭喜合肥康芯威存储技术有限公司申请的专利一种存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119785838B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510279765.1，技术领域涉及：G11B33/14；该发明授权一种存储器是由黄玉蝶;祝欣;吴强;李沐华设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储器，包括：封装基板，连接有主控模块、闪存模块、供电模块、多个未连接引脚、多个焊球，未连接引脚与部分焊球连接；电流切换模块，与供电模块电连接；至少一个半导体温控模块，半导体温控模块包括：第一基板，位于主控模块、闪存模块的外围；第二基板，与第一基板相对设置，第二基板与未连接引脚连接；半导体温控阵列单元，形成于第一基板与第二基板之间；其中，电流切换模块还与半导体温控阵列单元电连接，用于根据主控模块的控制信号，调整半导体温控阵列单元内电流的流向，以控制半导体温控阵列单元制冷或制热。通过本发明提供的一种存储器，能够在极端温度条件下正常工作。

本发明授权一种存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括：封装基板，所述封装基板的一侧连接有主控模块、闪存模块、供电模块、多个未连接引脚，所述封装基板的另一侧连接有多个焊球，所述未连接引脚与部分焊球连接；电流切换模块，与所述供电模块电连接；至少一个半导体温控模块，所述半导体温控模块包括：第一基板，位于所述主控模块、所述闪存模块的外围；第二基板，与所述第一基板相对设置，所述第二基板与未连接引脚连接；半导体温控阵列单元，形成于所述第一基板与第二基板之间；所述半导体温控阵列单元包括第一供电端与第二供电端；其中，所述电流切换模块还与所述半导体温控阵列单元电连接，用于根据所述主控模块的控制信号，调整所述半导体温控阵列单元内电流的流向，以控制所述半导体温控阵列单元制冷或制热；所述控制信号包括第一信号与第二信号；所述电流切换模块包括第一切换电路与第二切换电路；在同一时刻，所述第一切换电路与所述第二切换电路不可同时向半导体温控阵列单元供电；所述第一切换电路与所述主控模块、所述半导体温控阵列单元电连接；所述第一切换电路用于根据第一信号进行导通，并向所述半导体温控阵列单元进行供电；所述第一切换电路与半导体温控阵列单元中的电流的流向记为第一方向；所述第二切换电路与所述主控模块、所述半导体温控阵列单元电连接；所述第二切换电路用于根据第二信号进行导通，并向所述半导体温控阵列单元进行供电；所述第二切换电路与半导体温控阵列单元中的电流的流向记为第二方向；所述第一方向与第二方向相反；所述第一切换电路包括第一MOS管与第二MOS管；所述第一MOS管与第二MOS管根据第一信号进行导通；所述第一MOS管的栅极与所述主控模块电连接，所述第一MOS管的源极与所述供电模块电连接，所述第一MOS管的漏极与所述第一供电端电连接；所述第二MOS管的栅极与所述主控模块电连接，所述第二MOS管的源极与所述第二供电端电连接，所述第二MOS管的漏极与所述封装基板的接地引脚电连接；所述第二切换电路包括第三MOS管与第四MOS管；所述第三MOS管与第四MOS管根据第二信号进行导通；所述第三MOS管的栅极与所述主控模块电连接，所述第三MOS管的源极与所述供电模块电连接，所述第三MOS管的漏极与所述第二供电端电连接；所述第四MOS管的栅极与所述主控模块电连接，所述第四MOS管的源极与所述第一供电端电连接，所述第四MOS管的漏极与所述封装基板的接地引脚电连接。

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