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龙图腾网恭喜浙江晶科能源有限公司申请的专利背接触太阳能电池及其制造方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789610B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510278200.1，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权背接触太阳能电池及其制造方法、光伏组件是由端伟元;杨洁;张昕宇设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触太阳能电池及其制造方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种背接触太阳能电池及其制造方法、光伏组件，背接触太阳能电池包括：基底，背面包括交替排布的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区均包括第一子区和第二子区；第一掺杂半导体层，位于对应的第一掺杂区上；第二掺杂半导体层，位于对应的第二掺杂区上；透明导电层，包括多个第一导电部和多个第二导电部，第一导电部位于第一掺杂半导体层远离基底的一侧，第二导电部位于第二掺杂半导体层远离基底的一侧；第一减反层，包括多个第一减反部，第一减反部设于第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层远离基底的一侧，且位于第一掺杂区和第二掺杂区的第二子区。本申请可以提升双面率和光利用率。

本发明授权背接触太阳能电池及其制造方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：基底，具有相背设置的正面和背面，所述背面包括交替排布的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均包括第一子区和第二子区；第一掺杂半导体层，位于对应的所述第一掺杂区上，所述第一掺杂半导体层内具有第一掺杂元素；第二掺杂半导体层，位于对应的所述第二掺杂区上，所述第二掺杂半导体层内具有与所述第一掺杂元素的导电类型不同的第二掺杂元素；透明导电层，包括多个第一导电部和多个第二导电部，所述第一导电部位于所述第一掺杂半导体层远离所述基底的一侧，且至少位于所述第一掺杂区的所述第一子区，所述第二导电部位于所述第二掺杂半导体层远离所述基底的一侧，且至少位于所述第二掺杂区的所述第一子区；第一电极，位于所述第一掺杂区的所述第一子区，且位于所述第一导电部远离所述基底的一侧；第二电极，位于所述第二掺杂区的所述第一子区，且位于所述第二导电部远离所述基底的一侧；第一减反层，包括多个第一减反部，所述第一减反部设于所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层远离所述基底的一侧，且位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的所述第二子区。

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