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龙图腾网恭喜苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请的专利测试样品及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119666508B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510181379.9，技术领域涉及：G01N1/28；该发明授权测试样品及其制备方法是由王俊;张燕;肖垚;李顺峰;宋木;李刘晶;赵武;苟于单;张弘;李泉灵设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本测试样品及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种测试样品及其制备方法，制备方法包括：形成初始样品，包括：在半导体衬底层中形成凹槽，所述凹槽自所述半导体衬底层的一侧表面延伸至部分所述半导体衬底层中；在所述凹槽的内壁以及所述凹槽侧部的所述半导体衬底层的表面形成超晶格层；在所述超晶格层背离所述半导体衬底层的一侧表面形成绝缘保护层；在所述绝缘保护层背离所述超晶格层的一侧表面形成导电层，所述导电层背离绝缘保护层一侧的所述凹槽作为空隙；采用聚焦离子束对所述初始样品进行切割，形成测试样品，切割采用的切割面经过所述空隙且垂直于所述半导体衬底层。

本发明授权测试样品及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种测试样品的制备方法，其特征在于，包括：形成初始样品，包括：在半导体衬底层中形成凹槽，所述凹槽自所述半导体衬底层的一侧表面延伸至部分所述半导体衬底层中；形成超晶格层，包括：在所述凹槽的内壁以及所述凹槽侧部的所述半导体衬底层的表面形成交替层叠且材料不同的第一半导体层和第二半导体层；在所述超晶格层背离所述半导体衬底层的一侧表面形成绝缘保护层，包括：在所述超晶格层背离所述半导体衬底层的一侧表面形成半导体膜，所述半导体膜中具有Al原子，所述半导体膜的厚度为10nm-30nm，对所述半导体膜进行氧化，使所述半导体膜形成所述绝缘保护层；在所述绝缘保护层背离所述超晶格层的一侧表面形成导电层，所述导电层背离绝缘保护层一侧的所述凹槽作为空隙；采用聚焦离子束对所述初始样品进行切割，形成测试样品，切割采用的切割面经过所述空隙且垂直于所述半导体衬底层;其中，在同一腔室连续形成所述超晶格层和所述半导体膜；其中，所述测试样品用于在透射电子显微镜下进行区分第一半导体层和第二半导体层；所述测试样品在第一方向的宽度尺寸为60nm~80nm，所述第一方向平行于所述半导体衬底层的表面。

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