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龙图腾网恭喜浙江芯晟半导体科技有限责任公司申请的专利一种高灵敏度MEMS湿度计及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119595721B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510144655.4，技术领域涉及：G01N27/22；该发明授权一种高灵敏度MEMS湿度计及其制造方法是由王若飞;赵大国;何京涛;宋志强;律明琛;王晓峰设计研发完成，并于2025-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高灵敏度MEMS湿度计及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高灵敏度MEMS湿度计及其制造方法，涉及微机电系统和半导体芯片制造工艺技术领域。湿度计包括依次层叠的支撑基底层、绝缘层、金属屏蔽层、第一钝化层、电介质层、电极层和第二钝化层，以及填充于电介质层内和电极层内并将第一钝化层、电介质层、电极层和第二钝化层覆盖的传感层；传感层通过感湿材料填充于电介质层和电极层的空隙内，用于湿度传感。本发明在电极层下方设置了一层金属屏蔽层，隔离了其下方的寄生电容干扰，并在金属屏蔽层和电极层之间填充湿度敏感材料形成额外的湿度传感层，将该区域的寄生电容转化为传感电容，大大提升了传感器的灵敏度。且本发明所涉及工艺及材料均为CMOS工艺中常用工艺和材料，对CMOS工艺兼容度高。

本发明授权一种高灵敏度MEMS湿度计及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高灵敏度MEMS湿度计的制造方法，包括如下：步骤1：制作支撑基底层、绝缘层、金属屏蔽层及第一钝化层：准备具有绝缘层的支撑基底层，在所述支撑基底层的绝缘层上方形成一层金属屏蔽层，并在金属屏蔽层表面形成一层薄钝化层为所述第一钝化层；步骤2：制作电介质层和电极层：在具有第一钝化层的上方形成一层电介质层，然后制作电极层；步骤3：刻蚀所述电介质层，然后在裸露的电极层表面形成一层薄钝化层为第二钝化层；步骤4：在所述电极层的第二钝化层上方涂覆感湿材料，所述感湿材料在电介质层的内部、以及第二钝化层的内部和上方均形成填充，获得所述湿度计；所述电极层具有平面的叉指电极；所述电极层还包括加热电阻，叉指电极内部具有空隙，加热电阻与叉指电极的形状匹配，加热电阻设置于叉指电极的空隙内与叉指电极交错排布；加热电阻与叉指电极之间留有间隙；所述加热电阻与叉指电极的表面均形成有所述第二钝化层。

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