恭喜浙江奥首材料科技有限公司侯军获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江奥首材料科技有限公司申请的专利一种高选择性、低腐蚀的氮化硅蚀刻液及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118853173B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411322494.5，技术领域涉及：C09K13/06；该发明授权一种高选择性、低腐蚀的氮化硅蚀刻液及其制备方法与应用是由侯军;武文东;田继升;杨丽慧;赵晓莹;孙昊然设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高选择性、低腐蚀的氮化硅蚀刻液及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高选择性、低腐蚀的氮化硅蚀刻液及其制备方法与应用。该蚀刻液包含：2‑5份1‑乙烯基杂氮硅三烷和0.8‑10份焦磷酸反应而得的产物、75‑90份浓磷酸和12‑16份超纯水。其中，焦磷酸和1‑乙烯基杂氮硅三烷发生反应，生成的产物具有抑制SiO2腐蚀、保护多晶硅，提高Si3N4SiO2、Si3N4多晶硅的蚀刻选择比，帮助分解蚀刻副产物，加速Si3N4蚀刻反应，增加在浓磷酸中溶解性的作用，可应用在3D闪存芯片的氮化硅蚀刻领域。
本发明授权一种高选择性、低腐蚀的氮化硅蚀刻液及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种高选择性、低腐蚀的氮化硅蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液以重量份计，包括：2-5份1-乙烯基杂氮硅三烷和0.8-10份焦磷酸反应而得的产物、75-90份浓磷酸和12-16份超纯水；所述1-乙烯基杂氮硅三烷和焦磷酸的质量比为（3-5）：（3.5-4.5）；所述的高选择性、低腐蚀的氮化硅蚀刻液的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将焦磷酸和1-乙烯基杂氮硅三烷在70-90℃下搅拌混合反应2h；步骤2：上述反应完成后，冷却至室温，向步骤1的溶液中加入浓磷酸和超纯水，继续搅拌混合，即得所述氮化硅蚀刻液。
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