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龙图腾网恭喜西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种具有多孔石墨烯插入层结构的氮化镓基MEMS压力传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115655538B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211094358.6，技术领域涉及：G01L1/22；该发明授权一种具有多孔石墨烯插入层结构的氮化镓基MEMS压力传感器的制备方法是由宁静;常焕堉;王东;张进成;夏茂洋;张驰;马佩军;郝跃设计研发完成，并于2022-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有多孔石墨烯插入层结构的氮化镓基MEMS压力传感器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有多孔石墨烯插入层结构的氮化镓基MEMS压力传感器的制备方法，涉及微电子技术领域，主要解决器件的剥离和提升现有阶段GaN外延层的生长质量，从下至上包括不锈钢衬底层、Al2O3层、AlN层、多孔石墨烯层、GaN层、SiO2保护层、欧姆电极层；其中AlN层和Al2O3层形成AlNAl2O3复合层，欧姆电极位于GaN层上方的两侧；本发明通过加入了多孔石墨烯插层，可以从衬底上整体剥离MEMS压力传感器；通过增设磁控溅射Al2O3层和AlN层，提升了GaN外延层的生长质量，提高了衬底的电阻率。

本发明授权一种具有多孔石墨烯插入层结构的氮化镓基MEMS压力传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有多孔石墨烯插入层结构的氮化镓基MEMS压力传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）对不锈钢衬底进行抛光和清洗处理；（2）在不锈钢衬底上磁控溅射Al2O3薄膜，得到溅射了Al2O3的基板；（3）继续在Al2O3上磁控溅射AlN薄膜，得到溅射了AlNAl2O3复合层的基板；（4）在三维多孔铜镍合金衬底上生长多孔石墨烯，并转移多孔石墨烯至AlN上，得到覆盖多孔石墨烯的基板；（5）将覆盖多孔石墨烯的衬底置于金属有机物化学气相淀积反应室中，向反应室通入氢气和氨气的混合气体，对覆盖多孔石墨烯的衬底进行热处理，得到热处理后的基板；（6）控制反应温度，通入镓源和氨源，低温沉积GaN薄膜，然后升高温度，高温沉积GaN薄膜，生长一段时间得到覆盖GaN电阻层薄膜的基板；（7）对GaN层和多孔石墨烯层进行选择性干法刻蚀，刻蚀成蜿蜒曲折、窄且细的线条、线条轴向与弯曲方向相同的图形，直至裸露出AlN层，得到覆盖图形化多孔石墨烯层和GaN层的基板；（8）在GaN薄膜和AlN层暴露出的部分上采用化学气相淀积法生长SiO2保护层；（9）对SiO2保护层进行选择性干法刻蚀，直至裸露出GaN层；（10）在GaN层暴露出的部分上进行金属蒸镀，形成欧姆接触电极，并对金属层进行高温退火合金化，完成器件制备。

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