恭喜浙江同芯祺科技有限公司严立巍获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江同芯祺科技有限公司申请的专利一种半导体器件沟槽形成工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188662B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210854836.2，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权一种半导体器件沟槽形成工艺是由严立巍;文锺设计研发完成，并于2022-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件沟槽形成工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件沟槽形成工艺，属于半导体制造领域。一种半导体器件沟槽形成工艺，包括以下步骤：在晶圆的端面的绝缘层上铺设SOC，在所述的SOC表面开若干第一凹槽与若干第二凹槽，所述第一凹槽成对地、分别布置在所述第二凹槽两侧；在所述的第一凹槽中布置SiON，部分去除所述第二凹槽的SiON之间的SOC，保留贴近SiON的部分SOC，并使得绝缘层暴露；蚀刻所述第二凹槽底部的绝缘层，形成所述的沟槽。与现有技术相比，本发明的工艺通过选用SOC作为硬掩模，能够实现更高的深宽比。并且，沟槽形成后去除SOC，剩余的SiON能够作为沟槽电晶体周边的保护。
本发明授权一种半导体器件沟槽形成工艺在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件沟槽形成工艺，其特征在于，包括以下步骤：在晶圆的端面的绝缘层上铺设SOC，所述SOC为旋涂碳；在所述的SOC表面开设凹槽，将所述的SOC划分为成对布置的SOC块，并使得所述绝缘层暴露；在所述的凹槽的侧壁上形成SiON；在SiON的侧壁设置SOC；将SiON的侧壁设置的SOC作为硬掩模，蚀刻SiON侧壁的SOC之间的绝缘层，形成所述的沟槽；形成所述的沟槽后，除去绝缘层上的SOC；剩余的SiON能够作为沟槽电晶体周边的保护。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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