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龙图腾网恭喜北京工业大学申请的专利一种孔径完全装填输出相干阵半导体激光器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115189227B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210801900.0，技术领域涉及：H01S5/0625；该发明授权一种孔径完全装填输出相干阵半导体激光器及制备方法是由王智勇;齐军;兰天设计研发完成，并于2022-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种孔径完全装填输出相干阵半导体激光器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种孔径完全装填输出相干阵半导体激光器，该半导体激光器结构包括：导电衬底和形成于导电衬底上的外延层，外延层表面设置一维阵列种子区、无损耗激光传输波导和相位光栅层。该半导体激光器通过刻蚀周期性排布的阵列单元，形成相干阵半导体激光器内腔即种子区，再通过刻蚀无损耗激光传输波导形成相干阵半导体激光器外腔，进而建立起一种单片集成型复合光腔结构。该半导体激光器引入相位光栅层，改变相干阵半导体激光器非同相模的相位，使其与同相模相位一致，进而获得边发射半导体激光器在慢轴方向孔径完全装填的相干阵列激光输出。本发明公开的该半导体激光器的制备方法具有简单易实施的优点。

本发明授权一种孔径完全装填输出相干阵半导体激光器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种孔径完全装填输出相干阵半导体激光器，包括导电衬底以及导电衬底上的外延层，其特征在于，在所述外延层表面设置一维阵列种子区和无损耗激光传输波导，在所述一维阵列种子区和无损耗激光传输波导上面依次设置第一光学波导层和第二光学波导层，在所述第二光学波导层上面刻蚀相位光栅层，所述相位光栅层位于远离所述一维阵列种子区的位置，在所述第二光学波导层和所述相位光栅层上面依次设置第三光学波导层和P面电极，在所述导电衬底的下面设置N面电极，在靠近所述相位光栅层的端面蒸镀增透膜，在靠近所述一维阵列种子区的端面蒸镀高反膜；所述一维阵列种子区为一维阵列波导，所述一维阵列波导的尺寸参数为：长度为500μm～2000μm，宽度为3μm～5μm，间隔为3μm～5μm，深度为0.7μm～1μm；所述一维阵列波导选自：窄脊波导、表面DBR脊型波导或者表面DFB脊型波导；所述无损耗激光传输波导尺寸由Talbot距离公式ZT＝2nd2λ根据实际需要进行计算得到；其中，ZT为Talbot距离、n为光传输所在介质的折射率、d为阵列单元周期、λ为自由空间光波长。

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