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龙图腾网恭喜成都通量科技有限公司申请的专利一种集成CMOS射频前端温度传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115112256B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210689682.6，技术领域涉及：G01K7/01；该发明授权一种集成CMOS射频前端温度传感器是由桂智勇设计研发完成，并于2022-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成CMOS射频前端温度传感器在说明书摘要公布了：本发明提供一种集成CMOS射频前端温度传感器，包括：感温电路，用于检测温度，实现将温度转化为与温度正相关的电压信号；缓冲器，电压信号经过缓冲器，缓冲器用于提高驱动能力；SARADC，最后传输至SARADC，实现将感温电路产生的PTAT电压进行采样编码，输出和温度正相关的2进制编码信号，方便后续电路处理。本发明的目的就是在CMOS工艺下对温度传感电路进行了全集成设计，实现低功耗，低成本的射频前端温度传感器设计。

本发明授权一种集成CMOS射频前端温度传感器在权利要求书中公布了：1.一种集成CMOS射频前端温度传感器，其特征在于，包括：感温电路，用于检测温度，实现将温度转化为与温度正相关的电压信号；缓冲器，电压信号经过缓冲器，缓冲器用于提高驱动能力；SARADC，最后传输至SARADC，实现将感温电路产生的PTAT电压进行采样编码，输出和温度正相关的2进制编码信号，方便后续电路处理；感温电路，其电路部分为：包括自偏置电流源部分、PTAT电压部分、启动电路部分；偏置电流源部分包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11；PTAT电压部分包括MOS管M12、MOS管M4、MOS管M3；启动电路部分包括电容C1、MOS管M13、MOS管M14、MOS管M15；输入VDD连接MOS管M5的漏极、MOS管M6的漏极、MOS管M7的漏极、MOS管M12的漏极、电容C1的一端，电容C1另一端、MOS管M13的栅极、MOS管M16的漏极两两相连，MOS管M13的漏极、MOS管M5的栅极、MOS管M6的栅极、MOS管M7的栅极、MOS管M12的栅极两两相连接，MOS管M13的源极、MOS管M14的漏极、MOS管M14的栅极两两相连接，MOS管M14的源极、MOS管M15的漏极、MOS管M15的栅极两两相连接，MOS管M15的源极接地，MOS管M16的栅极、MOS管M10的栅极、MOS管M11的栅极、MOS管M9的源极、MOS管M11的漏极两两相连接，MOS管M16的源极接地；MOS管M12的源极、MOS管M4的栅极、MOS管M4的漏极、MOS管M3的栅极两两相连接，MOS管M4的源极连接MOS管M3的漏极、输出点Vb，MOS管M3的源极接地；MOS管M5的源极、MOS管M2的漏极、MOS管M2的栅极、MOS管M1的栅极两两相连接，MOS管M2的源极、MOS管M1的漏极、MOS管M10的源极两两相连接，MOS管M1的漏极接地，MOS管M6的栅极、MOS管M7的栅极、MOS管M6的源极、MOS管M8的漏极两两相连接，MOS管M7的源极连接MOS管M9的漏极，MOS管M8的栅极、MOS管M9的栅极、MOS管M8的源极、MOS管M10的漏极两两相连接，MOS管M11的源极接地。

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