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龙图腾网恭喜浙江兴芯半导体有限公司申请的专利一种将锗p-i-n光电二极管集成到图像传感器结构中的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709233B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210504638.3，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种将锗p-i-n光电二极管集成到图像传感器结构中的方法是由李加;陈维;林子瑛设计研发完成，并于2022-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种将锗p-i-n光电二极管集成到图像传感器结构中的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种将锗p‑i‑n光电二极管集成到图像传感器结构中的方法，其涉及半导体技术领域，其通过将氢离子（H+）注入锗供体晶圆至选定深度，以确定锗转移层的厚度；通过贝塔键合锗供体晶圆和硅目标晶圆的表面，将锗转移层与锗供体晶圆分离，得到锗硅混合晶圆；研磨锗硅混合晶圆的锗转移层的表面，将掺杂元素离子硼离子（B+）注入锗硅混合晶圆顶部的锗转移层，使锗转移层靠近表面的部分被注入硼而形成掺杂锗层；在锗光电二极管层中形成像素到像素之间的隔离结构，以界定光电二极管区域。本发明以低成本、相对更简单的制造工艺实现了高速、小像素尺寸、CMOS兼容的短波红外图像传感器（具有焦平面阵列），适于工业化大规模生产。

本发明授权一种将锗p-i-n光电二极管集成到图像传感器结构中的方法在权利要求书中公布了：1.一种将锗p-i-n光电二极管集成到图像传感器结构中的方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S1，提供锗供体晶圆；步骤S2，将氢离子H+注入锗供体晶圆至选定深度，以确定锗转移层的厚度，所述锗转移层为待转移的锗薄膜；步骤S3，提供硅目标晶圆；步骤S4，贝塔键合锗供体晶圆和硅目标晶圆的表面；步骤S5，将锗转移层与锗供体晶圆分离，得到锗硅混合晶圆；使用热技术或机械技术将键合粘附在硅目标晶圆上的锗转移层与锗供体晶圆分离，得到锗转移层和硅目标晶圆所构成的混合晶圆；步骤S6，完成锗硅混合晶圆最终键合；步骤S7，研磨锗硅混合晶圆的锗转移层的表面；步骤S8，将掺杂元素离子硼离子B+注入锗硅混合晶圆顶部的锗转移层，使锗转移层靠近表面的部分被注入硼而形成掺杂锗层，靠近硅目标晶圆的其余部分为未掺杂锗层；步骤S9，在锗光电二极管层中形成像素到像素之间的隔离结构，以界定光电二极管区域；步骤S10，翻转锗硅混合晶圆；步骤S11，提供一个涂布有临时黏合剂的载体。

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