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龙图腾网恭喜深圳供电局有限公司申请的专利基于三轴磁电阻的电流测量方法及系统、存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114814328B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210442922.2，技术领域涉及：G01R15/20；该发明授权基于三轴磁电阻的电流测量方法及系统、存储介质是由汤寿泉;李鹏;李敏虹;李立浧;谢宏;余鹏;任佳;田兵;韦杰;王志明;侯明哲;樊小鹏;尹旭;谭则杰;陈仁泽;徐振恒;林跃欢;孙宏棣;林力设计研发完成，并于2022-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于三轴磁电阻的电流测量方法及系统、存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了基于三轴磁电阻的电流测量方法及系统、存储介质，包括：获取3个三轴TMR电流传感器检测的磁场矢量和当存在均匀干扰磁场时，根据确定干扰磁场矢量的幅值的幅值范围，及与之间相对夹角的范围；基于所述幅值范围和所述角度范围，遍历搜索一个幅值和一个夹角，使得在消除干扰磁场的情况下，根据3个三轴TMR电流传感器的实际磁场矢量所分别计算得到的电流I10、I20和I30的大小和方向满足预设条件，即停止搜索，并根据所述I10、I20和I30确定待测导线的电流I。本发明采用3个TMR电流传感器，精确测量均匀干扰磁场环境下待测导线的电流，减少抗干扰电流测量所使用的TMR电流传感器数量。

本发明授权基于三轴磁电阻的电流测量方法及系统、存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基于三轴磁电阻的电流测量方法，其特征在于，所述方法基于一电流传感装置实现，所述电流传感装置包括第一三轴TMR电流传感器、第二三轴TMR电流传感器和第三三轴TMR电流传感器，所述第一三轴TMR电流传感器、第二三轴TMR电流传感器和第三三轴TMR电流传感器的磁敏感方向分别与预设的一个三维坐标系O-XYZ的X轴、Y轴和Z轴相同，所述第一三轴TMR电流传感器、第二三轴TMR电流传感器和第三三轴TMR电流传感器分别位于所述三维坐标系O-XYZ中的L点、M点、N点；所述方法包括：获取所述第一三轴TMR电流传感器、第二三轴TMR电流传感器和第三三轴TMR电流传感器所检测的磁场矢量和当存在均匀干扰磁场时，根据所述磁场矢量确定干扰磁场矢量的幅值的幅值范围，及干扰磁场矢量与所述磁场矢量之间相对夹角的角度范围；基于所述幅值范围和所述角度范围，遍历搜索一个幅值和一个夹角θ，使得在消除干扰磁场的情况下，根据所述第一三轴TMR电流传感器、第二三轴TMR电流传感器和第三三轴TMR电流传感器的实际磁场矢量所分别计算得到的电流I10、I20和I30的大小和方向满足预设条件，即停止搜索，并根据所述I10、I20和I30确定待测导线的电流I；所述电流I10、I20和I30的大小满足预设条件，包括：ΔI＝absI10-I20+absI10-I30+absI20-I30ε1其中，ε1为预设的常数；所述电流I10、I20和I30通过以下方式计算得到：根据计算根据所述第一三轴TMR电流传感器、第二三轴TMR电流传感器和第三三轴TMR电流传感器的实际磁场矢量和获取所述L点、M点、N点的三维坐标分别为LxL,yL,zL、MxM,yM,zM、NxN,yN,zN；根据所述LxL,yL,zL、MxM,yM,zM、NxN,yN,zN、和分别计算L、M、N三点到导线的最短距离dL、dM、dN；根据毕奥-萨伐尔定律和分别计算电流I10、I20和I30；所述电流I10、I20和I30的方向满足预设条件，包括：Δθ＝absθ10-θ20+absθ10-θ30+absθ20-θ30ε2其中，ε2为预设的常数，θ10为电流I10和I20之间的方向偏差，θ20为电流I10和I30之间的方向偏差，θ30为电流I20和I20之间的方向偏差；所述θ10、θ20和θ30通过以下方式计算得到：根据计算根据所述第一三轴TMR电流传感器、第二三轴TMR电流传感器和第三三轴TMR电流传感器的实际磁场矢量和根据和分别计算夹角θ10、θ20和θ30；其中，的法平面分别为a、b、c，则k10、k20、k30分别为法平面a与b、a与c、b与c的交线的方向向量。

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