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龙图腾网恭喜华南理工大学申请的专利一种NO₂气敏传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114923960B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210388046.X，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种NO₂气敏传感器及其制备方法是由耿魁伟;颜志伟;姚若河;刘玉荣设计研发完成，并于2022-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种NO₂气敏传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种NO2气敏传感器及其制备方法。一种NO2气敏传感器，包含：衬底；ZnO金属氧化物纳米异质结构，ZnO金属氧化物纳米异质结构设置在衬底表面；ZnO金属氧化物纳米异质结构包括ZnO纳米阵列及其表面的非ZnO的金属氧化物；金属电极，金属电极设置在ZnO金属氧化物纳米异质结构表面。本发明的气敏传感器与单一ZnO材料制备的传感器相比，对NO2气体的响应度有了极大的提高，气敏性能有极大改善；本发明的气敏传感器具有良好的选择性和抗干扰能力，此外，还具有稳定性好、重复性好、响应和恢复时间短、工作温度范围较广等优点，可适用于不同场景的NO2气体检测。

本发明授权一种NO₂气敏传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种NO2气敏传感器，其特征在于，所述NO2气敏传感器包含：衬底；ZnO金属氧化物纳米异质结构，所述ZnO金属氧化物纳米异质结构设置在所述衬底表面；所述ZnO金属氧化物纳米异质结构包括ZnO纳米阵列及其表面的非ZnO的金属氧化物；金属电极，所述金属电极设置在所述ZnO金属氧化物纳米异质结构表面；所述ZnO金属氧化物纳米异质结构中金属氧化物为CaO与MgO的组合；所述NO2气敏传感器，由包括以下步骤的方法制备得到：1在衬底材料表面制备ZnO种子层；2利用水热法在所述ZnO种子层表面生长ZnO纳米阵列；3将所述ZnO纳米阵列浸泡在含有金属盐的溶液中，反应后退火，得到ZnO金属氧化物纳米异质结构；4在所述ZnO金属氧化物纳米异质结构表面制备金属电极并引出导线得到所述NO2气敏传感器；其中，步骤3所述含有金属盐的溶液中含有钙盐和镁盐，并加入氨水或水合肼作为沉淀剂。

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