恭喜TCL华星光电技术有限公司谢菲菲获国家专利权
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龙图腾网恭喜TCL华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及其长膜修补方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114784017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210350480.9，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及其长膜修补方法是由谢菲菲;刘梦阳设计研发完成，并于2022-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其长膜修补方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种阵列基板、一种阵列基板长膜修补方法，该阵列基板包括衬底、设置于衬底上方的异常线和修复线，异常线包括至少一异常段、位于异常段两端的导通段，修复线包括本体段、与本体段相连的延伸段，所述延伸段与所述异常段两端的导通段在连接处同层且连接设置，且连接孔内未设置异常线；通过在长膜修补时去除连接孔处的异常线，避免连接孔内存在异常线，修复线与异常线的连接不受连接孔内异常线厚度的影响，提升了长膜修补良率。
本发明授权阵列基板及其长膜修补方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；异常线，所述异常线设置于所述衬底上方，所述异常线包括至少一异常段、位于所述异常段两端的导通段；修复线，所述修复线设置于所述衬底上方，所述修复线包括本体段、与所述本体段相连的延伸段，所述延伸段包括位于所述本体段一端的第一连接部、位于所述本体段另一端的第二连接部；其中，所述第一连接部、所述第二连接部通过连接孔分别与所述异常段两端的所述导通段连接，所述第一连接部、所述第二连接部与所述异常段两端的所述导通段在连接处同层设置，所述修复线上还设置有保护层，所述保护层填充所述连接孔设置，所述保护层为有机缓冲材料，所述保护层覆盖所述修复线设置，所述连接孔的顶面与所述保护层的顶面平齐。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人TCL华星光电技术有限公司，其通讯地址为：518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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