恭喜上海华力集成电路制造有限公司许亮获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695100B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210189486.2，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法是由许亮;李孝慈;陈宏璘;龙吟;王恺设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法，提供衬底，衬底上形成有叠层，叠层上形成有侧墙；形成覆盖侧墙的第一掩膜层，之后回刻第一掩膜层至第一高度，使得侧墙的上端裸露；在裸露的侧墙表面形成第二掩膜层；去除第一掩膜层，之后刻蚀侧墙的下端，使得侧墙形成为矩形轮廓。本发明将类似侧墙轮廓由倾斜变为竖直；由于无定形硅内核和外层空间区域的轮廓均匀，可以减少等离子负载，并且在鳍片或多晶硅蚀刻过程中更容易清洗聚合物，可以解决桥接和块刻蚀缺陷。
本发明授权解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法在权利要求书中公布了：1.一种解决自校准工艺曝光蚀刻局部负载的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有叠层，所述叠层上表面上形成有倾斜的侧墙，所述侧墙的材料为氮化硅，所述侧墙为上窄下宽的帆船形貌；步骤二、形成覆盖所述侧墙的第一掩膜层，之后回刻所述第一掩膜层至第一高度，使得所述侧墙的上端裸露；步骤三、将裸露的所述侧墙进行氧化以形成第二掩膜层；步骤四、去除所述第一掩膜层，将所述侧墙的下端露出，之后刻蚀所述侧墙的所述下端，使得所述侧墙上下端形成为竖直结构轮廓。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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