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龙图腾网恭喜华邦电子股份有限公司申请的专利半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725008B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110007964.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体装置的制造方法是由何昌儒;蔡高财;陈盈豪设计研发完成，并于2021-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：在此提供一种半导体装置的制造方法。此方法包括形成金属层于基板中，且依序形成阻障层及绝缘层于基板上。此方法包括进行第一刻蚀步骤，以形成开口于绝缘层中，且开口并未暴露出阻障层。在第一刻蚀步骤之后，形成间隙填充层于绝缘层上且填满开口。此方法包括进行第二刻蚀步骤，以在间隙填充层中形成与开口连通的第一通孔，并将开口的上部分拓宽而形成沟槽。此方法包括进行第三刻蚀步骤，以移除位于开口的底部的间隙填充层，并加深沟槽及开口的深度。此方法包括在阻障层中形成与开口连通的第二通孔，以暴露出金属层。

本发明授权半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：形成一金属层于一基板中；形成一阻障层于该基板上，使该阻障层覆盖该金属层；形成一绝缘层于该阻障层上；进行一第一刻蚀步骤，以形成一开口于该绝缘层中，其中在该第一刻蚀步骤之后，该开口并未暴露出该阻障层，并且其中在形成该绝缘层之后，该金属层具有多个突出部，且该开口位于所述多个突出部的至少一者的上方；在该第一刻蚀步骤之后，形成一间隙填充层于该绝缘层上且填满该开口，其中该间隙填充层具有平坦的一顶表面；进行一第二刻蚀步骤，以在该间隙填充层中形成与该开口连通的一第一通孔，并移除一部分的该绝缘层以将该开口的上部分拓宽而形成一沟槽，其中在该第二刻蚀步骤之后，一部分的该间隙填充层位于该开口的底部；进行一第三刻蚀步骤，以移除位于该开口的底部的该间隙填充层，并加深该沟槽的深度及该开口的深度；以及在该阻障层中形成与该开口连通的一第二通孔，以暴露出该金属层。

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